三星加速布局 1D DRAM，目標 2027 年底量產鎖定 HBM5 應用
三星正積極準備下一代 1d DRAM 製程技術，預計最快 2027 年底進入量產階段，這是三星繼 1c DRAM 之後下一代記憶體製程，相當於美光（Micron）1-delta 節點。
AI 時代來臨，記憶體重要性已從「配角」變成核心瓶頸之一，高階 AI GPU 對高頻寬記憶體（HBM） 的規格要求持續推升。
目前三星最新 DRAM 晶片透過 1c DRAM 技術製造，高度依賴 EUV 微影與金屬閘極，同時也已應用在 HBM4 高頻寬記憶體，主打 AI/HPC 高頻寬記憶體市場。
與現行 1c DRAM 不同，1d DRAM 將採取電容垂直堆疊全新結構，也是 DRAM 製程史上首次從水平排列轉向垂直整合的重大轉變，有望進一步提升單位面積儲存密度與功率效率，對未來 AI 訓練與推理所需的高頻寬、低功耗記憶體而言是關鍵。
此外，1d DRAM 還將使用雙晶圓接合技術，記憶體陣列與周邊控制電路分開在不同晶圓再整合，以提升製程彈性與效能。
根據韓媒引述業界人士消息，2027 年第二季前三星計畫將 1d 專用設備導入產線，若研發與設備調校順利，有望 2027 年底啟動量產。
1d 製程將成下一世代技術分水嶺，三星能否如期在 2027 年推進 1d DRAM 量產，將直接影響該公司在 HBM5E 市場競爭地位。
（首圖來源：AI 生成）