台塑半導體布局再下新城！夥日商合資仁武設廠 切入電子級光阻稀釋劑事業
台塑(1301)國際策略結盟、電子半導體布局再下新一城，與日商日本大賽璐株式會社合資設廠，切入電子級光阻稀釋劑事業。台塑董事會通過將結合台塑原料採購、土地及公用設施等資源優勢，與日本大賽璐株式會社雙方技術，合資成立台塑大賽璐精密化學，規劃於台塑仁武廠區合資興建電子級光阻稀釋劑廠，共同建構在地化供應體系，掌握全球半導體材料市場成長契機。
台塑表示，台塑大賽璐精密化學資本額設定為15億元，初期實收資本額為8億元，由台塑、日本大賽璐株式會社各持股50％，預計投資23.9億元興建電子級光阻稀釋劑廠，預計2028年9月機械完工，2028年12月投產。目前已有潛在客戶談妥供應合作，擴大、強化台灣半導體在地供應深耕實力。
台塑強調，大賽璐在半導體光阻應用領域擁有超過60％的全球市佔率，並廣泛應用於全球各地的半導體製程， 已開發出適用於EUV光阻等級産品，並被領先製造商採用。 台塑與大賽璐合作的PGME／PGMEA 製造計畫，計劃在台灣建置專用於電材應用的生產基地，並透過與日本多據點佈局確保供應穩定性，力求在台灣儘早完成工廠建設並開展業務，致力於實現高品質與穩定供應。
因應全球半導體市場持續成長及台灣半導體產業投資日益活絡，電子級光阻稀釋劑市場需求穩定提升，台塑積極布局半導體材料領域，決定從基礎原料到高值化電子材料，建立台塑全方位垂直整合優勢，規劃於高雄仁武建置電子級光阻稀釋劑生產基地，提升電子材料供應能力，掌握半導體產業發展契機。
台塑指出，電子級光阻稀釋劑主要應用於半導體先進製程，2025年國內供應量約10萬噸，需求量11.3萬噸，供應缺口主要仰賴純化業者進口工業級產品加工補足。受人工智慧(AI)、高效能運算及高頻寬記憶體(HBM)、三維快閃記憶體(3D·NAND)發展帶動，國內半導體大廠持續擴建，預估2030年台灣電子級光阻稀釋劑需求將成長至26.7萬噸，年均複合成長率約18.8％ 。
台塑認為，投入電子級光阻稀釋劑事業的競爭優勢，除有完整、穩定、安全且具競爭力之原料供應能力，製程技術也累積精密化學品製造經驗,具備製程開發、純化分離及量產放大能力，搭配擁有大型化工廠規劃、建設及營運管理經驗，可有效整合工程資源並確保建廠品質，建立完善品質管理與製程控制機制機制，提升品質穩定性及批次一致性。