美光直球回應長鑫4F² 表態不跟進、3D DRAM長期成本更具優勢
長鑫科技(688825-CN) 推進4F² DRAM架構，引發市場對記憶體技術與成本競爭的關注。美光(MU-US) 總裁暨技術與產品長Scott DeBoer正面回應，公司經長期評估及原型驗證後，仍將維持6F²架構，並直接邁向3D DRAM，認為後者在長期擴展性與成本效益上更具優勢。
DeBoer於10月21日主持技術與產品線上研討會，回應長鑫揭露4F²計畫後引發的投資人疑慮。他指出，美光並非未曾探索這項技術，而是在評估後認為，現有6F²架構仍是邁向3D DRAM之前更具吸引力的選擇。
長鑫拚年底推新品 美光堅守6F²
長鑫總裁曹堪宇10月10日揭露，公司計畫年底推出採用4F²架構的新一代DDR5 RDIMM。相較主流6F²架構，晶片面積可縮減約30%，讓單片晶圓產出更多晶片，因此受到業界高度關注。
4F²的吸引力在於提高位元密度、降低成本。若能在相同製程節點縮小記憶體單元面積，便有機會增加每片晶圓的晶片產出。然而，美光認為，面積縮小能否轉化為持續的成本優勢，仍取決於其他製程限制。
微縮關鍵在電容 製造成本仍是考驗
DeBoer表示，決定DRAM位元密度與成本能否持續改善的關鍵，是電容器間距，而非僅是電晶體結構。若電容間距無法同步縮小，改用4F²架構並不代表成本優勢就能持續擴大。
瑞銀分析師Timothy Arcuri團隊在會後報告指出，美光對4F²的另一項疑慮，是垂直通道電晶體（VCAT）的後續發展限制。這類電晶體除了持續縮減間距，缺乏可持續的演進路徑。
此外，VCAT對原子層沉積（ALD）、選擇性磊晶等製程的要求，也增加製造複雜度，量產成本可能侵蝕晶片面積縮小帶來的效益。
德意志銀行分析師Melissa Weathers在報告中指出，美光已對4F²進行數十年的內部評估，並開發過原型，但最終仍決定不轉向這項架構，而是在產業邁向3D DRAM之前，持續採用6F²。
三星評估導入 產業路線尚未一致
美光的選擇尚非產業共識。除了長鑫積極推進4F²，瑞銀研究也指出，三星電子(005930KS) 傳出考慮在未來0a奈米節點導入這項架構，以緩解電容高深寬比帶來的製程壓力。
依據相關規畫，三星預計2027年完成1d奈米節點的6F²量產，再於2028年底前推進0a奈米節點的4F²導入，與美光維持6F²、再轉向3D DRAM的方向有所不同。
瑞銀將美光的布局解讀為平行推進技術路徑，類似先前在1-beta節點上，對是否採用極紫外光（EUV）技術所做的準備。美光認為，3D DRAM最終將與自身技術路線接軌，成為更具擴展性與成本效益的長期方案。
瑞銀並指出，若美光判斷正確，產業最終轉向3D DRAM，沉積與蝕刻設備供應商可望受惠。
AI布局擴及封裝、邏輯整合與NAND
除了回應4F²競爭，美光也在研討會強調，AI記憶體需求並不限於訓練使用的高頻寬記憶體（HBM），還涵蓋推論、邊緣AI與自動駕駛，相關產品包括LPDDR6、DDR6、SOCAMM及1TB大容量RDIMM。
先進封裝方面，美光將混合鍵結視為未來16層堆疊及更高規格HBM的重要競爭優勢，並積極與晶圓代工廠合作開發vHBM，將記憶體垂直堆疊於運算核心上方。
美光藉此強調，AI時代的記憶體競爭，已從單一位元成本，延伸至記憶體、封裝與邏輯架構的系統整合。公司也展示超過400層的Gen11 NAND技術藍圖，瞄準AI對高每秒輸入／輸出操作次數（IOPS）及高頻寬儲存的需求。
法人審慎看待 量產與良率待驗證
對於長鑫4F²計畫的衝擊，法人看法相對審慎。野村證券認為，4F²與3D DRAM在2028年之前的展望期間內，都不會產生實質影響，並預估長鑫4F²量產要到2027至2028年才能實現。
中信證券也指出，4F²目前仍處早期驗證階段，良率、產量及客戶認證有待觀察，對中期記憶體產業格局的影響有限。長鑫宣布年底推出產品，與後續能否穩定量產，仍須分別看待。
另一方面，長鑫HBM業務尚在起步，短期難以充分受惠於AI帶動的高溢價需求。在通用DRAM漲價幅度收斂之際，其產品結構也相對缺乏緩衝。
TrendForce數據顯示，通用DRAM合約價季漲幅，已由2026年第一季的93%至98%，收斂至第三季的13%至18%，第四季預估進一步降至10%至15%。
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