長江存儲重大突破！傳開發9600MT/s LPDDR5X　導入4F²架構挑戰三星、美光

中國NAND Flash大廠長江存儲傳出正開發傳輸速率高達9600MT/s的LPDDR5X行動記憶體，並規劃在武漢Fab 3廠導入量產。若相關計畫順利推進，將代表長江存儲進一步跨足高效能DRAM市場，與三星電子(005930KS) 、美光等國際記憶體大廠競爭。

根據週五（23日）消息，長江存儲正將DRAM研發重心延伸至高速行動記憶體，並採用垂直通道電晶體（VCT）與4F²儲存單元架構，尋求提升記憶體密度及傳輸效能。

長江存儲布局DRAM並非近期才開始。據報導，該公司自2025年10月起，已在Fab 2廠研發及測試第二代16Gb LPDDR5，傳輸速率為7500MT/s，月產量約5,000片晶圓。

此次傳出的9600MT/s LPDDR5X計畫，則顯示其產品布局朝更高傳輸速率發展。

此次研發的一大看點，在於導入4F²儲存單元架構。相較傳統6F²架構，4F²設計理論上可將單一儲存單元的占用面積縮小，讓相同晶片面積容納更多儲存單元，進而提高記憶體密度，並有助降低成本。

中國另一家記憶體製造商長鑫科技(688825-CN) 先前也公布4F² DDR5布局，顯示中國DRAM業者正同步探索這項架構。

不過，4F²技術的可行性仍存在爭議。美光科技(MU-US) 先前曾質疑該架構缺乏可行的微縮路徑，認為其密度優勢遭到過度吹捧。隨著長江存儲與長鑫存儲持續推進相關技術，4F²架構能否在實際製程中發揮預期效益，將成為後續發展的重要觀察指標。

Counterpoint Research研究副總裁Neil Shah指出，長江存儲在晶圓對晶圓鍵合技術方面累積的經驗，有助其朝3D DRAM發展。

長江存儲的Xtacking技術，主要是將記憶體儲存陣列與周邊邏輯電路分開製造，再透過鍵合方式整合。這種設計有助降低對先進微影設備的依賴，也為公司探索不同的記憶體架構提供技術基礎。

分析指出，長江存儲若進一步將既有技術經驗延伸至DRAM，將有助擴大產品布局，不再僅聚焦NAND Flash市場。

不過，9600MT/s LPDDR5X目前仍屬研發及量產規劃階段，實際量產時程、產品規格與市場競爭力，仍有待後續確認。

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