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美國存儲晶片股週一普遍反彈,美光、閃迪、威騰電子及希捷同步收高

財訊快報

更新於 11小時前 • 發布於 11小時前
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【財訊快報/陳孟朔】美國存儲晶片與儲存設備類股週一普遍反彈,在上週大幅回檔後出現低接買盤。市場一方面認為AI數據中心對高頻寬記憶體(HBM)、企業級固態硬碟及大容量硬碟的需求仍然強勁,另一方面也持續評估三星電子、SK海力士及美光大規模擴產後,2028年至2029年是否可能重新引發供給過剩,令存儲產業週期再次反轉。股價方面,美光科技(Micron,美股代碼MU)週一翻紅漲16.51美元或1.94%,收報865.46美元,成交金額達369.63億美元,居美股成交額首位;閃迪(SanDisk,美股代碼SNDK)翻揚漲36.13美元或2.67%,收在1,390.95美元,成交175.02億美元,排名第三。威騰電子(Western Digital,美股代碼WDC)再漲2.14%,收報487.42美元;希捷科技(Seagate,美股代碼STX)再漲1.88%,收在802.45美元,兩股均連續第二個交易日走高。
分析人士指出,近期全球主要存儲企業股價從高點普遍回落逾三成,反映市場開始擔心業者在AI需求高速成長時同步擴產,可能重演傳統記憶體產業供給過剩的循環。三星電子、SK海力士及美光均提出龐大長期投資計畫,但相關金額通常涵蓋多年廠房、設備、研發及不同產品線,不能全數視為短期新增DRAM或NAND產能;真正風險取決於新廠投產時間、製程轉換速度及AI需求能否持續吸收新增供給。
產品結構方面,HBM具高度客製化、認證週期長及先進封裝產能受限等特性,短期出現嚴重過剩的機率相對較低;通用DRAM與NAND則更容易受到資本支出週期影響。中國存儲廠商擴產也是後續最大變數之一,若2028年前新增DRAM產能占全球增量比重顯著提高,可能壓低標準型記憶體價格。不過,週一四檔存儲股同步回升,顯示市場暫時將上週急跌視為漲多後修正,而非AI存儲需求已出現根本性反轉。

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