三星考慮縮減 HBM3E 產能，擴產 1b 奈米製程以最大化獲利
韓國媒體 DealSite 報導表示，三星考慮將提供其 HBM3E 高頻寬記憶體的 1a nm製程通用 DRAM 產能削減 30~40%，然後透過製程轉換，提升適用於標準記憶體產品的 1b nm 製程產能，以達成獲利的最大化。
報導指出，三星的 HBM3 和 HBM3E 記憶體均基於 1a nm 製程的標準 DRAM，而 HBM4 則基於 1c nm及1b nm 製程技術的產能來生產通用記憶體來提供。而由於 AI 需求、HBM 搶占產能、短期內擴產幅度有限等原因，DDR5、LPDDR5x、GDDR7 等通用記憶體產品近來價格經歷了一波快速漲勢，對於三星而言其 1b nm 製程的產能獲利能力反而超過了傳統看法中受惠於 HBM 高價格的 1a nm製程。
儘管三星最終還是成為了GPU大廠輝達(NVIDIA)的 HBM3E 供應商，但其供貨規模相對受限。加上三星在 HBM3E 上的平均售價本身就相較 SK 海力士低了三成，而且字 2026 年起， HBM3E 還將降價 30%。
基於以上的因素，報導引用市場人士的說法指出，三星如果將 1a nm 製程的 30~40% 產能和 1z nm 製程等更為成熟製程技術的產能切換為 1b nm製程，則 1b nm 製程的投片量有望額外擴充每月 8 萬片晶圓，這將對於三星的獲利有更顯著的幫助。
(首圖來源：三星)