台積電2奈米2025年第四季如期量產 生產基地為高雄Fab 22
晶圓代工龍頭台積電（2330）2奈米級製程（N2）已於2025年第四季如期進入量產階段，成為台積電首度導入環繞式閘極（GAA）奈米片電晶體之先進節點。從其官網上之邏輯製程節點揭露訊息得到確認，符合先前對市場的時程承諾。
在效能與能效表現上，N2相較於N3E，於相同功耗下可提升10%至15%效能，或在相同性能下降低25%至30%功耗；混合設計（邏輯、SRAM與類比）電晶體密度提升約15%，邏輯單一設計更可達20%。
值得關注的是，台積電指出，2奈米製程的生產基地為高雄的Fab 22；據供應鏈透露，Fab 22廠區將建設達5個Phase，滿足客戶對2奈米殷切之需求。市場推測，新竹寶山Fab 20作為鄰近全球研發中心的先進產線，也有部分2奈米產能，形成雙廠並進的放量節奏。
台積電董事長暨執行長魏哲家日前於法說會指出，N2良率進展順利，2026年將迎來更快的放量曲線，動能同時來自智慧型手機與AI／HPC應用。隨著客戶對先進製程需求強勁，台積電選擇在全新廠房同步導入手機與大型AI晶片，雖增加量產複雜度，但也反映市場對N2世代的高度期待。
依規劃，台積電將在2026年下半年推出效能強化版N2P，以及導入Super Power Rail（SPR）背面供電的A16製程，鎖定高功耗密度、複雜供電需求的AI與HPC晶片。隨N2家族持續擴展，台積電也正式邁入GAA世代，為先進製程競局揭開新篇章。