SK海力士加速HBM布局 導入Intel EMIB、下一代將邁向3D封裝

SK海力士SK Hynix(000660-KR)持續推進高頻寬記憶體(HBM)技術，並計畫運用英特爾Intel(INTC-US)的EMIB等先進封裝技術開發下一代HBM解決方案，未來進一步朝3D封裝發展，以因應AI與高效能運算對記憶體容量及頻寬快速增加的需求。

SK海力士封裝工程副總裁Jaesik Lee在Hot Chips 2026會議表示，公司將透過先進封裝技術加快HBM產品發展。目前HBM採用3D堆疊架構，透過矽穿孔(TSV)將多顆DRAM核心晶片與基礎晶粒(Base Die)連接，現階段最高可支援16層堆疊(16-Hi)。

在系統整合方面，HBM與GPU屬於獨立晶片，目前主要透過2.5D封裝共同配置於矽中介層(Silicon Interposer)。每個HBM模組包含1,024個I/O及16個通道，並透過中介層與PHY連接至XPU。

相較傳統GDDR6，HBM可在更小空間內提供更高容量與頻寬，同時降低功耗及營運成本。典型GDDR6方案容量為24GB、頻寬768GB/s；由4組HBM3E組成的方案可節省最高50%空間，同時提供最高144GB容量及4TB/s頻寬。

依SK海力士目前產品藍圖，HBM4定位為最高階產品，DRAM單顆密度最高24Gb，最大容量36GB，I/O位元數提升至2,048位元，I/O傳輸速度最高8Gbps，頻寬則可達2,048GB/s。