SK 海力士發表革命性 iHBM 技術，內建專屬散熱通道劍指 HBM5 世代
韓國記憶體大廠 SK 海力士於 26 日正式發表全新「iHBM」散熱技術，透過在 HBM 封裝內部整合一體化冷卻元件（ICE），能顯著降低產品運行時的發熱量，為解決 AI 晶片的高溫挑戰提出創新方案。
SK海力士表示，隨著AI算力需求持續激增，HBM不斷透過增加堆疊層數與提升運行速度來升級性能，但也因此面臨發熱量大幅攀升的難題。其中，連接HBM與GPU的D2D PHY（實體互聯通道）區域的功率密度控制，已成為下一代HBM技術的核心競爭力。
因此，有別於傳統HBM依賴核心晶片（Core Die）間接向外傳導熱量的散熱方式，iHBM技術從結構層面根本解決了散熱難題。其核心技術在於，直接於熱量最集中的D2D PHY區域內，嵌入具備絕緣且高導熱性的矽基ICE元件，建構出專屬的熱量排出通道（Heat Path）。此項技術創新相較於傳統方案，可將熱阻（Thermal Resistance）大幅降低30%以上，並確保產品在各種高溫、高負載的環境下依然能維持穩定運行。
SK海力士表示指出，在量產與實際應用層面，iHBM技術也展現了極高的可行性。該技術採用已獲市場充分驗證的先進MR-MUF（批量回流模製底部填充）晶圓級封裝（WLP）製程，能夠實現穩定的規模化量產。更重要的是，iHBM與客戶現有的系統級封裝（SiP）環境具備高度的設計相容性，這意味著客戶無需進行大規模的設計改動即可直接導入部署，大幅降低了實際應用的門檻。
針對未來的發展，SK海力士計畫將iHBM技術應用於HBM5等下一代產品中，以全面滿足高效能運算（HPC）與AI資料中心等超高度整合、高頻寬應用場景的嚴苛散熱管控需求，進一步提升整體系統的穩定性與運行效率。SK海力士封裝開發擔當副社長李康旭對此表示，iHBM結合了記憶體設計與先進封裝技術，是實現產品最低發熱的最優方案。公司透過前瞻佈局，將持續提供AI環境下客戶所需的核心價值，進一步鞏固自身在面向AI的記憶體領域中的領導地位。
(首圖來源：SK海力士提供)