AI驅動先進製程腳步加快，ALD獲關注，天虹等相關本土供應商前景可期

【財訊快報／記者李純君報導】AI驅動半導體產業加快先進製程與先進封裝的發展步伐，當中，隨著奈米晶片需求迅速成長，原子層沉積（ALD）技術以其精確的原子級鍍膜能力和卓越的均勻性，成為推動半導體製程向前進的關鍵技術，而包括天虹(6937)等有投入ALD相關設備與耗材的本土供應商，未來前景可期。依據工研院產科國際所的研究顯示，隨著電子產品朝向輕薄短小、多功能和低功耗的趨勢發展，奈米晶片的需求持續攀升。傳統的鍍膜技術如物理氣相沉積（PVD）和化學氣相沉積（CVD）已難以滿足高深寬比結構和精密製程的要求。原子層沉積（ALD）技術憑藉其精確的原子級膜厚控制和卓越的均勻性，正是推動半導體製程進入更小尺規的關鍵技術。
在相關技術趨勢中，ALD技術透過逐層沉積原子薄膜，並且能在低溫環境下實現高品質的鍍膜材料，並在複雜的立體結構的表面上達到極佳的覆蓋率。這使得ALD在先進製程中能夠精準控制薄膜厚度，特別是在過渡金屬二硫化物（TMD）等二維材料的鍍膜上，展現出提升半導體晶片性能的巨大變革。
尤其隨著ALD技術的持續優化與創新，預計將在高階AI晶片、先進製程晶片、5G通訊晶片和生醫感測器等領域發揮更大的作用。透過與國內外半導體廠商的合作，ALD技術將實現高效能與高可靠性的製程技術，推動半導體技術持續邁進與革新。
在本土設備與耗材廠中，天虹佈局相關領域已有時日，本身也是晶圓代工大廠的主要耗材供應商，在設備端也有陸續傳出跨認證的好消息。而工研院也在相關領域揭露好消息，投入開發全球首創的高效雙模態原子層鍍膜系統（Hy-ALD），突破國際專利障礙。

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