記憶體漲勢兇猛 研調：通用型伺服器DRAM一季翻一倍
在AI對於記憶體需求不斷提升下，原廠將大部分資源集中在高毛利的HBM（高頻寬記憶體）上，導致傳統產品供給不足，引發前所未見的結構性缺貨，讓報價水漲船高。研調更指出，不僅一般型DRAM價格上漲，通用型伺服器DRAM更是一季翻一倍，且漲勢還沒完。
受AI伺服器需求爆發與次世代平台架構變更影響，全球記憶體市場正迎來史上最嚴峻的供需失衡，無論是通用型DRAM還是NANDFlash，法人估計，供不應求的局面恐將延續至2026年底甚至2027年。
根據研調機構Counterpoint Research最新數據數據，記憶體價格在2026年第一季較2025年第四季上漲80%-90%，創下歷史新高水準。通用型伺服器DRAM價格明顯上升，以三星64GB R-DIMM為例，合約價已由2025年第四季的450美元翻倍至超過900美元，預期第二季將突破1000美元。
DRAM供給瓶頸源於AI伺服器對HBM強勁需求排擠了一般型DRAM供給，SK海力士與美光的HBM3E產能已被預訂一空，且新產能預計最快2027年才有望大量開出，使2026年DRAM將持續供不應求。法人認為，DDR4與一般型DRAM報價預計維持高位至2026年底，隨輝達VeraRubin平台放量，高階NAND短缺恐延續至2027年。
至於近期中國記憶體大廠長江存儲傳出將進行擴產，業界分析，光是要填補其中國龐大的國內內需缺口都還遠遠不足。根據市調機構資料顯示，全球NAND供給缺口仍接近 20%，再加上AI推論所產生的資料儲存需求幾乎沒有上限，再加上其擴廠重心偏向3D DRAM並優先供應中國市場，對全球有效供給的實質貢獻其實相當有限，短期內都將無法扭轉全球性NAND缺貨與漲價的格局。
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