2027年記憶體市況分化 DRAM供給續緊、NAND Flash轉寬鬆
記者高兆麟／台北報導
根據TrendForce最新記憶體產業研究，2027年記憶體需求維持由AI應用主導，DRAM因HBM持續排擠產能、AI server需求強勁，CPU所用的記憶體與HBM採購動能持續增加，維持供給緊張格局，價格走勢偏強。NAND Flash在新產能集中釋放、終端消費需求持續走弱的情況下，2027下半年供給將趨向寬鬆，價格恐面臨修正壓力。
TrendForce表示，為因應AI基礎建設擴張帶來的中長期需求，各大DRAM原廠已提早啟動產能擴充計畫。短期內，供應商積極提高既有廠區產能，同時加速製程升級、降低產品轉換頻率，以支撐2026年整體位元供給擴張。
2027年儘管有數家供應商規劃新產能陸續投產，但受限於建廠時程、設備移機、原物料等前置作業約束，預計多數新廠投片放量落於2027下半年，考量生產週期，顯著的產出貢獻則於2028年發酵。此外，由於HBM製造流程所需的晶圓投入遠高於一般型DRAM(conventional DRAM)，導致新增投片量無法等比例轉換為有效位元產出。上述因素將限制2027年整體DRAM位元供給成長幅度，市場供應能力持續緊縮。
從需求面觀察，受惠於北美雲端服務供應商(CSP)持續提高資本支出，Intel、AMD新世代CPU平台加速出貨，以及Agentic AI逐步商業化，2027年全球server出貨量年增幅度將較2026年的17%擴大。加上單機HBM搭載容量成長，以及SOCAMM等新規格導入，顯著拉升單機記憶體容量，將有助2027年DRAM需求位元成長維持在高檔。反觀智慧手機、筆電等消費型終端，因品牌廠轉嫁零組件成本的效應加深，導致整機售價上調、衝擊消費者換機意願，預期2027年出貨表現將維持衰退。
TrendForce指出，2026年DRAM供應與需求位元的差距(sufficiency ratio)落在-1%至-2%間，2027年由於需求增速超越供給成長，供需缺口將進一步擴大。不過，2026年主要CSP資本支出維持在歷史高點，甚至部分業者的現金流出現負值。2027年記憶體價格若仍處於高檔，於整體CSP資本支出的占比將會上升。以上情況會否影響2027年CSP資本支出的規劃、乃至於記憶體的購入，仍待觀察。
2026年NAND Flash原廠主要透過製程升級增加位元供給，由於AI server、高容量enterprise SSD需求旺盛，供應商持續提高enterprise SSD的供給比重，以避免消費端需求平淡可能造成的獲利風險。2027年隨著各大廠加速轉進至高層數產品，以及新廠產能逐步釋放，預計位元供給的成長幅度將超越2026年，市場產出規模迎來顯著擴張。
在需求面，由於server部署需求穩健，CSP與企業客戶對高速、大容量enterprise SSD的採購力道強勁，以QLC SSD最甚，將成為支撐2027年NAND Flash位元需求增長的主力。消費性電子則因終端售價陸續上調，預估買氣仍受壓抑。
2027年在產能陸續開出、消費性電子需求仍偏弱的情況下，市場供需將迎來結構性反轉，TrendForce日前已率先提出2027年sufficiency ratio將轉為正值的看法，供需格局將轉為寬鬆。然而，若Agentic AI的普及取得突破性進展，將能再度拉升高速SSD的需求，促使整體供需趨近平衡。