英特爾發表先進封裝 EMIB-T，直供電助力大型 AI 處理器
半導體大廠英特爾 (Intel) 旗下的晶圓代工 （Foundry） 業務近日正式公開其最新一代的嵌入式多晶片互連橋接（Embedded Multi-Die Interconnect Bridge，簡稱 EMIB）先進封裝技術 EMIB-T。英特爾表示，這項技術專為滿足新型人工智慧（AI）處理器與資料中心龐大的電力與數據傳輸需求而生，透過優化小晶片（Chiplet）架構，取代了過去製造超大型單片晶圓的做法。
英特爾指出，過去多晶片封裝通常依賴覆蓋整個處理器晶片底部的大型且昂貴的矽中介層（Silicon Interposer）做為底層連接。有別於此，EMIB 技術捨棄了龐大的矽區塊，改將微型的高速矽橋接器嵌入至特定位置，讓需要傳送訊號的相鄰晶片得以連結。先前，英特爾位於新墨西哥州的 Fab 9 處理器晶圓廠工程師，成功將晶片直接嵌入矽橋接器上，使相鄰的資料中心晶片能直接跨橋進行通訊。這不僅大幅降低了材料成本，還帶來了更快的電氣反應速度，進而縮短了晶片間高速通訊的週期時間。
英特爾強調，EMIB-T 帶來的最核心創新，在於其佈線通道如今可以直接「穿透」矽橋接器。在過往的世代中，電力必須繞過連接橋，這不僅會產生電阻，也會拖慢訊號傳輸速度。如今透過直接穿透橋接器進入矽元件，大幅減少了電力的浪費，並實現了最快的訊號傳遞。這項升級對於現代高頻寬記憶體（HBM）而言至關重要，因為它需要持續不斷的供電，以及極高循環速度的訊號來達成更快速的回應。
另外，這項全新突破是英特爾晶圓代工整合異質小晶片的關鍵技術，使其能將不同來源的小晶片封裝到業界已知最大規模的晶片上。相較於傳統全尺寸的矽中介層，EMIB-T 不僅能提高生產良率並降低成本，更讓打造用於資料中心的超大型並排 AI 處理器成為可能。
(首圖來源：英特爾)