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AI 帶旺第三類半導體,台灣上游材料廠迎新商機

科技新報

更新於 4小時前 • 發布於 4小時前

AI 伺服器 GPU 功耗持續攀升,資料中心正朝兆瓦(MW)級機櫃發展,推動供電架構由傳統低壓系統逐步升級至 800 V 高壓直流。高功率運算不僅帶動 GPU 需求,更使負責電力轉換與控制的功率半導體重要性大幅提升,也讓碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)等第三類半導體成為市場新焦點。

AI 機櫃功率已由過去數十 kW 提升至數百 kW,未來更將朝 1 MW 邁進。隨著系統功率持續增加,資料中心內的電流與電壓同步提升,若無法精準控制電能轉換,不僅會增加能源損耗,也可能因過熱、突波或電壓波動影響電源穩定性,甚至造成 GPU、電源供應器(PSU)及其他關鍵設備損壞,因此功率半導體已成為 AI 電力系統的核心元件。

相較於僅負責傳輸電流的導體(Conductor),功率半導體可透過開關控制及電壓轉換,將電力以更高效率送往 GPU、CPU 及其他運算元件。其中,第三類半導體屬於寬能隙半導體(Wide Bandgap, WBG),具有更高耐壓、更快切換速度及更低功率損耗,可有效提升電源轉換效率。

其中,碳化矽(SiC)較適合高電壓、大功率應用,可承受更高電壓及工作溫度,目前廣泛應用於 800 V 電動車、高壓電源、再生能源變流器及 AI 資料中心 HVDC 系統;氮化鎵(GaN)則具備高速切換及高頻運作優勢,可縮小電源體積、提高功率密度,較適合電源供應器(PSU)、GPU 電源模組及高頻 DC-DC 轉換器等應用。

法人指出,AI 帶動的不只是 GPU 出貨,而是整個電力基礎設施同步升級。從 Power Rack、電源供應器(PSU)、電壓調節模組(VRM)到 GPU 板卡,都需要大量功率半導體完成交流、直流及不同電壓之間的電能轉換,因此 MOSFET、功率 IC、SiC 元件、GaN 元件及功率模組的需求均同步提升。

台灣第三類半導體上游材料與晶圓製造業者也積極受惠。如環球晶積極發展 SiC 基板及晶圓,合晶投入碳化矽材料及晶圓開發,嘉晶布局 SiC、GaN 與矽光子磊晶技術,漢磊則提供 SiC 與 GaN 晶圓代工服務,並持續推進 8 吋 SiC 製程商業化。

隨著 AI、電動車及再生能源市場同步成長,第三類半導體晶圓需求持續升溫,市場也看好高階 SiC 晶圓供需趨緊,價格具支撐力。

根據市調機構統計,全球功率半導體市場規模預估將由 2024 年的 357 億美元成長至 2030 年的 615 億美元,年複合成長率約 9.5%。目前車用及工業仍為最大應用市場,但 AI 資料中心、高壓電網及再生能源正快速成為下一波成長動能,也帶動第三類半導體由電動車市場進一步擴展至 AI 基礎設施。

(首圖為示意圖,來源:三菱化學

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