美光宣布LPDDR5X行動記憶體正式量產，並獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 參考設計
美光科技宣布，LPDDR5X 行動記憶體已獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。
美光科技宣布，LPDDR5X 行動記憶體已獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。Snapdragon 8 Gen 2 為高通公司針對旗艦級手機所推出的最新行動平台，參考設計主要用途是供品牌業者展示此晶片組在設計智慧型手機時的各項優點，美光 LPDDR5X 亦整合在高通 Snapdragon 8 Gen 2 參考設計中，成為主要架構的一環，持續受到市場青睞。與此同時，此款記憶體也已量產出貨，將有助於第一款內建 LPDDR5X 的手機達到最高速度。
美光最新推出的 LPDDR5X 專為高階及旗艦智慧型手機打造，峰值傳輸率達 8.533Gbps，不僅比前一代產品 LPDDR5 提升 33%，也比去年秋天所支援的 7.5 Gbps 傳輸率更能滿足高頻寬、高數據量用途對高性能行動記憶體的需求。
美光資深副總裁暨行動事業部總經理 Raj Talluri 表示：「如今智慧型手機能實現 5G、AI 等技術，且能存取大量數據，超高速行動記憶體的功勞不容小覷，可說是手機創新的幕後英雄。目前美光最高速的 LPPDR5X 已量產並在全球舖貨，將帶動行動生態系研發新一代裝置以及各類超乎想像的應用。」
去年十一月，美光領先半導體業，運用其率先面市的 1α（1-alpha）製程製作出最快、最先進的行動記憶體 LPDDR5X 並送樣認證，繼先前推出業界第一款 LPDDR5、1α製程LPDDR4X、176 層 NAND 行動 UFS 3.1 和 uMCP5 解決方案之後又下一城。美光將持續推動市場加快採用 LPDDR5X，鞏固自身產品創新能力及行動生態系領導地位。
高通技術公司產品管理副總裁 Ziad Asghar 指出：「要想達到 Snapdragon 8 Gen 2 所標榜的光速上網、動態體驗以及劃時代效能，性能強悍的高速記憶體不可或缺。美光 LPDDR5X 記憶體可達 8.5 Gbps，前所未有的超高速率及能源效率，正能滿足高通晶片組所需。」