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理財

蘋果20週年iPhone將搭載AI高頻寬記憶體?手機定位再升級

商傳媒

更新於 2025年05月16日07:22 • 發布於 2025年05月16日07:17 • service@sunmedia.tw (商傳媒 SUN MEDIA)

商傳媒|記者責任編輯/綜合外電報導

科技媒體《Wccftech》報導,蘋果預計在2027年推出具紀念意義的「20週年iPhone」,不僅在外型設計上追求突破,更計畫導入前所未見的AI高頻寬記憶體(HBM)技術,凸顯紀念iPhone機種將進入全新的性能層級。根據韓媒《ETNews》分析,這次iPhone將首度整合伺服器等級的記憶體技術,結合蘋果AI架構,將有望實現大型語言模型(LLM)於裝置本體運行。

HBM記憶體(High Bandwidth Memory)原為AI伺服器與GPU常用的高效記憶體技術,透過垂直堆疊晶片與穿矽通孔(TSV)技術大幅提升資料傳輸效率與節能表現。蘋果計劃將此應用延伸至行動裝置,將HBM直接整合於2027年iPhone的GPU架構中,使其具備在地執行生成式AI任務的能力,降低對雲端依賴並優化延遲與耗電。

市場分析指出,這將是智慧型手機首次導入高階HBM技術,可能為蘋果在AI手機世代搶下技術話語權,也將成為未來生成式手機競賽的技術門檻。

據悉,蘋果目前已委由三星電子與SK海力士分別研發行動版HBM,並預計於2026年啟動量產,搶搭iPhone20週年上市列車。兩大記憶體巨頭採用不同先進封裝工藝,三星選用VCS(Vertical Cu-post Stack),而SK海力士則投入VFO(Vertical wire Fan-Out)技術,雙方各自為蘋果量身打造高密度、低耗電解決方案。

外界預期,由於HBM成本遠高於目前LPDDR5等主流記憶體,2027年iPhone極可能迎來價格大幅上調,尤其在搭載四曲面螢幕與更高規格AI模組下,進一步推升整體製造成本。

蘋果全速推動的「Apple Intelligence」策略正加速硬體重構,2027年iPhone將成為整合AI與終端算力的典範機種,結合HBM與16nm FinFET OLED驅動IC的新四曲面螢幕設計,預示蘋果未來不再只靠軟體生態優勢稱王,而是將以晶片、記憶體與封裝工藝,重新定義高階手機定位。

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