HBM也要拚散熱！SK海力士新技術讓熱阻降逾30%
SK海力士(000660KS) (SKHY-US) 正與上游合作夥伴推進新一代 iHBM 技術研發及量產準備，透過在熱量集中區域嵌入熱控元件，可將 HBM 熱阻降低 30% 以上，並計畫導入 HBM5 等新一代產品。
韓媒《ETNews》引述業界消息報導，SK 海力士近期已與國內外材料、零組件及設備供應商接洽，討論 iHBM 的實際產品應用與量產計畫。
一名熟悉情況的 SK 海力士合作夥伴公司負責人表示，SK 海力士正探索與上游業者合作，將 iHBM 導入實際製程並實現商業化。他指出，該公司似乎已在評估量產可行性的同時，著手推動商業化進程。
iHBM 是 SK 海力士為改善 HBM 發熱問題而開發的新技術，也是該公司在競爭激烈的 HBM 市場維持領先地位的策略之一。
隨著 AI 算力需求持續增加，HBM 透過增加堆疊層數、提升運作速度來提高效能，也面臨發熱量攀升的難題。如何有效控制 HBM 與 GPU 實體互連通道所產生的熱量，正成為下一代 HBM 技術競爭的關鍵。
SK 海力士於今年 5 月 26 日發表 iHBM，特色是從結構設計著手改善散熱。傳統 HBM 主要依賴熱量經由核心晶片（Core Die）向外傳導，採取間接散熱方式；iHBM 則直接在熱量最集中的晶粒對晶粒實體層（D2D PHY）區域，嵌入熱控元件（ICE）。
這類元件採用具絕緣性及高導熱性的矽基材料，可建立專用散熱通道。相較傳統方案，該技術可將 HBM 熱阻降低 30% 以上，並確保產品在高溫、高負載環境下穩定運作。
根據 SK 海力士介紹，iHBM 在量產可行性方面也具備優勢。產品採用已經市場驗證的先進 MR-MUF 晶圓級封裝（WLP）製程，有助於實現穩定的大規模量產。
此外，該技術與客戶現有的系統級封裝（SiP）環境具有高度設計相容性，客戶無須大幅修改設計即可導入，降低實際應用門檻。
SK 海力士計畫將 iHBM 技術應用於 HBM5 等新一代產品，以滿足高效能運算（HPC）、AI 資料中心等高度整合、高頻寬應用的散熱需求。
依照該公司技術藍圖，HBM5 預計於 2029 年發表。目前，SK 海力士正使用台積電先進封裝技術 CoWoS，對 HBM5 進行驗證。
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