韓媒：傳三星搶下輝達明年 SOCAMM 2 半數訂單
根據韓媒報導，三星電子已成功取得輝達明年第二代 SOCAMM（System on CAMM，SOCAMM 2）逾半供應量。
據業者消息，輝達向 DRAM 廠提出的 SOCAMM 年度需求規模約為 200 億 Gb，三星正洽談承接其中 100 億 Gb 的產量，相當於約 8.3 億顆 24Gb LPDDR DRAM，推估需動用每月 3 至 4 萬片晶圓的生產能力，約占三星全體 DRAM 產能的 5%。另外，SK 海力士將接手其餘多數需求，美光則僅保留少量供應空間。
三星能在 SOCAMM 2 的導入階段搶下主要份額，被視為其 10 奈米級第 6 代（1c）DRAM 在良率與性能表現上的原因，讓 SOCAMM 供應鏈版圖出現明顯調整，領先本來占優勢的美光。
根據網上資料，SOCAMM 是輝達近年推動的高效能記憶體模組，採用壓縮連接式 CAMM（Compression Attached Memory Module）設計，能在更薄的基板上整合多顆低功耗 DRAM，較傳統 DDR5 RDIMM 在空間效率與能耗上更具優勢。
而 SOCAMM 2 傳輸速度提升至 9,600 MT/s，較 SOCAMM 1 的 8,533 MT/s 更快。
與專為 GPU 設計的 HBM 不同，SOCAMM 主要支援 CPU，在大型 AI 推論與資料搬移中扮演關鍵角色。其透過高速銅互連整合 DRAM，具備良好散熱與訊號完整性，且模組可拆卸，使伺服器維護與升級更具彈性。
三星、SK 海力士與美光曾於今年的 GTC 2025 展示 SOCAMM 原型，但因能效與穩定性仍待調整而延後導入。輝達隨後啟動 SOCAMM 2 的共同開發，並預計搭配明年推出的 Vera CPU 使用，形成下一階段 AI 伺服器的記憶體架構。
隨著 AI 伺服器對高密度、低功耗記憶體的需求持續攀升，SOCAMM 被視為繼 HBM 之後的另一項重要架構演進。其模組化設計正讓伺服器記憶體從傳統固定焊接，逐步走向更易維護、更具彈性的方向。
（首圖來源：科技新報）