中國長江存儲拚全球 NAND Flash 市占 15%，籌建全國產設備產線規避美國制裁
2022 年底被美國商務部列入實體清單後，中國 NAND Flash 製造商長江存儲已經無法取得美系先進晶圓製造設備、但該公司未因此停下腳步，Tom′s Hardware 引用市場消息指出，長江存儲不僅預計 2024 年底將月產能提升至 13 萬片，更計劃至 2026 年底挑戰全球 NAND Flash 產量的 15%。此外，長江存儲正推動一條全國產設備試驗生產線，成規避美國制裁的方式之一。
長江存儲在 2024 年底前將實現月產能約 13 萬片，預計在 2025 年增產至 15 萬片，對應全球 NAND Flash 供應約 8%。這一成長主要得益於其第五代 3D TLC NAND（X4-9070）正式投產，該產品採用 294 層堆疊架構，位元密度顯著提升，介面速度達 3600 MT/s。而即便長江存儲從 ASML、Applied Materials、KLA 等國際設備供應商取得新設備的能力受限，但其仍計劃大規模導入自研技術與國產設備，支撐其位元成長率目標遠高於整體市場的 10%~15%。
為擺脫依賴外國設備，長江存儲已著手建設一條僅採用中國晶圓廠工具的試驗線，預計於 2025 年下半年開始試產。這是因應美國管制 128 層堆疊以上堆疊技術設備出口後的對策，亦是中國晶片設備自主化的重要試金石。根據市場分析師的分析指出，一旦該試驗線獲得成功，將有助於長江存儲擴大規模量產的可能性，並朝向 100% 設備國產化邁進。市場評估，若長江存儲能將月產量提升至 20 萬片，將具備影響全球 NAND Flash 價格走勢的話語權。
產品路線方面，長江存儲除 1TB X4-9070 外，2025 年稍晚將推出 3D QLC X4-6080，可能延續 294 層堆疊，至 2026 年量產 2TB 3D TLC X5-9080 與 3D QLC X5-6080，後者將支援 4,800MT/s 高速介面。下代架構預期將超過 300 層堆疊，藉此提升每片晶圓的位元輸出，即使製程時間增加、月投片數下降，也能維持總產出成長。
2022 年美國規定，禁止美系企業向中國輸出可製造 128 層堆疊以上 3D NAND Flash 的設備，但長江存儲利用「串堆疊技術」成功繞過。至今尚無證據顯示該公司自禁令後取得新美製設備，但仍靠既有工具維持先進 NAND Flash 產品線的開發與製造。
此外，長江存儲透過旗下「長江資本」間接投資中國本地設備與材料供應商，並避免外資監控，包括要求合作廠商將商標從設備上移除，以避開潛在制裁。而根據外資大摩的報告指出，長江存儲目前設備國產化率高達 45%，遠高於中國平均 15%~27%。供應商涵蓋中微公司（蝕刻與 CVD）、北方華創、派奧泰克等具備一線水準的中國設備商。不過，目前中國尚無法自製先進曝光機，成為量產瓶頸。儘管，長江存儲具備先進製程與大規模投資實力，但本土設備的良率與穩定性仍是主因限制其試驗線量產規模化。
展望未來，長江存儲期望在 2026 年前達成全球 NAND Flash 市場市占率 15% 願景，並中國內需市場超過 30% 市占。但試驗線仍處初期階段，能否順利放量、規模量產尚未明朗，特別在良率、製造成本與技術可靠性三方面仍有挑戰。儘管如此，長江存儲快速擴產、設備國產化領先與資本投入策略，已成為中國半導體自主化最具代表性的企業之一。
(首圖來源：長江存儲)