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英特爾高層宣示重啟晶圓代工 力拚14A高階製程挑戰台積電

商傳媒

更新於 2025年04月30日09:36 • 發布於 2025年04月30日09:36 • service@sunmedia.tw (商傳媒 SUN MEDIA)

商傳媒|記者責任編輯/綜合外電報導

近日動作頻頻的晶片巨頭英特爾(Intel)29日於美國加州舉行的「Direct Connect大會」上宣布,目前多家客戶有意參與其下一代製程「14A先進製程」的試產計畫。根據《路透》報導,英特爾執行長陳立武 (Lip-Bu Tan) 力挺自家晶圓代工業務,並誓言將扭轉過去錯誤策略,以挑戰台積電在市場的領導地位為目標。

綜合外電報導,英特爾尚處開發階段的14A製程,將首次導入高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)技術與創新電力傳輸架構,希望藉由減少光刻步驟、提升良率。儘管上述技術有望助英特爾以更少的步驟生產晶片,但也存在一定風險;英特爾晶圓代工技術長錢德拉塞卡蘭(Naga Chandrasekaran)強調,英特爾仍保有更成熟製程的選項,客戶不需要修改既有的晶片設計。

陳立武指出,英特爾致力打造世界級的晶圓代工廠,以滿足市場對於尖端製程技術、先進封裝和製造日益成長的需求;同時強調,英特爾的首要任務是傾聽客戶需求,並創造出助力客戶成功的解決方案以贏得信任。

《路透》稍早報導指出,博通(Broadcom)與輝達(Nvidia)已分別使用英特爾18A製程進行試產,驗證其製程的可靠性。英特爾預計於2025下半年正式進入14A與18A製程的大量生產階段,初期將由位於奧勒岡州希爾斯波羅的研發廠進行投片,亞利桑那州的新廠也將同步讓產能升溫。

業界普遍認為,英特爾這次積極擁抱High-NA EUV,是為了補救過去錯失EUV導入時機的缺失。相較之下,台積電早於2019年便在7奈米製程導入EUV,目前已穩定運作於5奈米與3奈米量產,至於未來是否在2奈米或更高階製程採用High-NA EUV仍未對外公開。

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