傳長鑫存儲擬出貨 HBM3 樣品，助華為突破 AI 記憶體瓶頸
市場消息傳出，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）已取得重大突破，並向中國AI 巨頭如華為等出貨HBM3 樣品，以緩解HBM 危機。
據悉，長鑫存儲計劃2027 年將HBM3E 帶入中國，並預期今年啟動量產，以把握目前的DRAM 需求。事實上，北京長期面臨HBM 供應瓶頸，並依賴出口管制前的HBM 庫存，這也成為華為等公司擴大AI 晶片產能的障礙。直到近期，中國企業才逐步具備足夠的技術和生產能力。
有分析師指出，雖然長鑫存儲技術仍落後全球頂尖企業三到四年，但其進展標誌中國在半導體自主化上的重要步伐，也可能打破國際DRAM 大廠長期的主導地位。
儘管技術落後，長鑫存儲在整體DRAM 產量中仍占關鍵地位，因為公司擁有足夠的生產線。該公司今年DRAM 產能持續提升，預計中國廠每月產能將達23~28 萬片晶圓。
目前長鑫存儲仍落後SK 海力士等企業，並計畫2027 年將HBM3E 帶入中國，屆時HBM4 預計將成為主流標準。同時，該公司也在消費者記憶體領域取得領先地位，公司已開始量產DDR5 模組，據稱良率約為80%。
（首圖來源：CXMT）