HBM4 壓力提前引爆：應用材料聯手兩大記憶體廠，AI 算力戰轉向量產與供應
OpenAI、Google 與 Microsoft 等美國科技公司正快速擴建 AI 基礎設施，進一步帶動記憶體晶片需求，不僅拉緊供應，也推升價格。三星、SK 海力士與美光這三家全球最大的記憶體晶片製造商皆表示，目前已難以跟上暴增的需求。
IDC 形容，這場由 AI 帶動的晶片短缺是「一場前所未見的危機」。在這樣的背景下，當高頻寬記憶體（HBM）因為複雜堆疊帶來的量產挑戰，進而成為 AI 伺服器擴張過程中的關鍵限制之一時，記憶體的競爭已不只在單一產品，而是同步延伸到材料、製程、封裝與供應節奏上。為了解決這項影響整個 AI 產業進程的瓶頸，當決勝點不再只是單一晶片性能，而是整體量產與供應效率時，設備商也開始更早介入下一代記憶體的研發合作。
應用材料聯手美光、SK 海力士，從源頭共推下一代 HBM 與記憶體
呼應上述的量產挑戰，近日應用材料（Applied Materials）宣布與美光、SK 海力士合作，開發對 AI 與高效能運算至關重要的下一代記憶體晶片，美光與 SK 海力士兩家公司也將成為應用材料「設備與製程創新暨商業化中心」（EPIC Center）的創始夥伴。
應用材料表示，EPIC Center 是一項規劃中的 50 億美元半導體設備研發投資，資本支出將隨客戶專案啟動而逐步擴大至該規模。事實上，應用材料曾在 2023 年時表示，將對該研發中心投入最高達 40 億美元的資金，並預計在 2026 年上線，如今該計畫的預期投資規模已進一步擴大。
在具體的合作方向上，應用材料與美光的合作將聚焦於推進 DRAM、HBM 與 NAND，並結合 EPIC Center 與美光位於愛達荷州 Boise 創新中心的技術能力。至於應用材料與 SK 海力士的合作，則將聚焦在下一代 DRAM 與 HBM 的材料改良、製程整合，以及 3D 先進封裝。
當上游積極備戰研發，NVIDIA 下一代平台壓力已提前浮現
儘管設備與材料端正著眼於未來的技術突破，但在終端需求上，下一代 HBM 的供應爭奪戰已經開打。在下週 NVIDIA GTC 登場前，市場已提前聚焦下半年將推出的 Vera Rubin 所需 HBM4 供應，其中三星與 SK 海力士都已列入名單。
由於 HBM4 從晶圓到封裝的生產週期超過六個月，兩家公司最快本月就得啟動生產。雖然 Vera Rubin 的 HBM4 配額仍未定案，不過消息人士預期，SK 海力士將拿下 NVIDIA 2026 年逾半 HBM 供應，三星則主導 Vera Rubin 專用 HBM4。
TrendForce 也預估，SK 海力士今年 HBM 市佔率為 50%，三星則由 20% 升至 28%，而在 HBM4 旗艦競爭中看似腳步稍慢的美光也未退出，預計供應中階推論用 AI 加速器的 HBM4。
記憶體成為 AI 基建競賽的新核心與市場焦點
這場從上游設備延伸到下游出貨的記憶體大戰，不僅牽動著 AI 算力的擴張速度，也已經直接反映在市場的預期上。美光股價在 3 月 18 日財報前走高，背後原因包括市場看好 AI 帶動的記憶體需求，以及 DRAM 價格持續上升。
花旗（Citi）預估，受資料中心強勁需求帶動，2026 年 DRAM 價格將上漲 171%，花旗分析師 Atif Malik 指出：「我們的供應鏈討論與分析顯示，2026 年超大規模資本支出的上調，大部分將由更高的記憶體成本所驅動。」
當 AI 基礎設施競賽持續升溫，真正決定算力擴張速度的，已不再只是 GPU 本身，而是能否同步掌握 HBM、DRAM 與先進封裝的開發與量產節奏。應用材料這次與 SK 海力士和美光展開合作，反映的正是記憶體競爭已從單一產品之爭，升級為設備、材料、製程整合與供應鏈協作的總體戰。另一方面，隨著 NVIDIA 下一代平台提前拉高 HBM4 壓力、記憶體價格持續上行，誰能更早打通從研發到量產的完整路徑，誰就更有機會在這場 AI 時代的核心瓶頸戰中取得主導權。
＊本文開放合作夥伴轉載，參考資料：《Reuters》、《Barron’s》、TrendForce、《Bloomberg》，首圖來源：應用材料