加強供應市場 HBM4 需求，三星滿載 4 奈米製程至少 50% 產能提供生產基礎晶片
韓國三星晶圓代工部門已將其 4 奈米製程產能的 50% 以上，正式分配予第六代高頻寬記憶體（HBM4）用基礎晶片的量產。 業界分析，此舉是三星為了在 2026 年下半年擴大對輝達（Nvidia）、博通（Broadcom）及超微（AMD）等全球科技巨擘的 HBM4 供應，所展開的先制性部署。
根據市場消息指出，三星電子晶圓代工事業部自 2025 年年中起，已大幅增加採用三星4奈米（SF4）製程的 HBM4 基礎晶片晶圓投片量。 目前三星的 4 奈米製程正處於滿載生產狀態，其中 HBM4 基礎晶片的生產比重已高達 50% 至 60%。目前三星主要利用位於平澤 P2 與 P3 的晶圓代工生產線（S5、S6）量產 4 至 7 奈米製程。
基礎晶片位於 HBM 中垂直堆疊的多個 DRAM（核心晶片）最底部，主要負責協助記憶體與系統半導體（如GPU、CPU）之間的數據傳輸。隨著 HBM 技術世代的演進，基礎晶片在整體架構中的重要性也隨之與日俱增。因此，市場估計，三星目前的 4奈 米總產能約為每月 3 萬片晶圓。依此比例推算，目前每月約有高達 1.5 萬片晶圓的產能正全力投入製造 HBM4 基礎晶片。
為此，三星電子正透過內部的系統 LSI（System LSI）及晶圓代工（Foundry）事業部，持續深化與升級基礎晶片的技術實力。特別的是，三星在 HBM4 中採用了較競爭對手更為領先的4奈米先進製程來製造基礎晶片。而 HBM4 為目前已商用化的最新一代高頻寬記憶體，未來將搭載於輝達（Nvidia）最先進的 AI 加速器「Vera Rubin」等旗艦級設備中。
三星電子先前已於 2026 年 2 月在業界首度啟動 HBM4 的量產出貨。雖然在上半年因屬於初期量產階段，出貨規模相對有限，但三星計劃從 2026 年第三季起正式啟動大規模供應。隨著 HBM4 基礎晶片產能量產規模擴大，三星電子的 HBM 業務擴張計畫迎接成長的業績。 三星在 2026 年第二季的業績說明會中曾明確預測，第三季的 HBM 營收將較前一季成長 3 倍以上，且下半年 HBM 營收預計將穩健地占全公司 HBM 總營收的 60% 以上。
(首圖來源：三星)