突破美國制裁限制？中國第三季試產 EUV 設備
外媒 Wccftech 報導，僅有 DUV 設備的中國，影響最大半導體公司中芯國際進步，雖中芯國際成功生產 5 奈米晶圓，但量產仍受成本過高和良率過低困擾。對華為也產生負面影響，一直無法跨越 7 奈米門檻。
另美國制裁，禁止 ASML 販售最先進 EUV 給中國企業或單位。唯一解決途徑就剩自產。最新報告，目標已白紙黑字化，今年第三季試產。據說中國客製化 EUV 為雷射誘導放電等離子體 (LDP)，與 ASML 雷射產生等離子體 (LPP) 略有不同。
自產 EUV 量產正是中國半導體產業武器庫，不僅能擺脫美國影響，還能獲競爭優勢。市場消息，哈爾濱創新團隊研發出放電等離子體極紫外曝光光源後，華為東莞工廠已在測試新系統。
哈爾濱創新團隊放電等離子體極紫外曝光光源可產生波長 13.5 奈米 EUV 光線，滿足市場需求。LDP 能產生 13.5 奈米 EUV 光源，是將電極間錫蒸發，並用高壓放電轉為等離子體，由電子離子碰撞產生光源波長。這與 ASML 靠高能量雷射和複雜現場可程式化閘陣列控制不同，試產報告顯示華為工廠用雷射誘導放電等離子體測試原型更簡單更小，同時功耗更低、製造成本更低等。
中國和中芯國際目前仍依賴 DUV，早期曝光系統為 248 和 193 奈米波長，與 EUV 13.5 奈米光源明顯較差。中芯國際必須靠多次圖案化步驟生產晶圓，不僅增加生產成本，且非常耗時，更耗費巨額資金。估計如採相同曝光技術，中芯國際 5 奈米晶片會比台積電晶片貴 50%，這也解釋為什麼 5 奈米尚未亮相。
華為僅能以 7 奈米製程開發麒麟晶片，細微調整後使新晶片較前代略增強功能。若中國產 EUV 成功，華為就能顯著縮小與高通和蘋果等差距。後續仍有待觀察。
(首圖來源：ASML)
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