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理財

HBM 加速發展,美光 HBM4 2026 年亮相,HBM4E 2027~2028 年登場

科技新報

發布於 16小時前

為因應用於人工智慧(AI)的半導體需求大幅成長,SK 海力士、三星以及美光都加大了在高頻寬記憶體(HBM)領域的開發力道,加速推進第六代 HBM,也就是 HBM4 產品的開發。隨著 HBM 的改朝換代速度加快,第七代 HBM 產品 HBM4E 的開發也出現在發展計畫上。

日前,美光分享了最新的 HBM4 和 HBM4E 的開發情況。其中,HBM4 有望在 2026 年量產,HBM4E 也會在 2027 年至 2028 年之間亮相。這些 HBM 產品除了提供更高的資料傳輸速度之外,HBM4E 還將採用客製化的基礎晶片,這代表著產業模式的轉變。

美光總裁兼執行長 Sanjay Mehrotra 表示,HBM4E 將帶來記憶體業務的模式轉變,其因為採用了台積電先進的邏輯代工製程技術,為某些客戶客製化邏輯基礎晶片,這預計將能帶美光業績表現的改善。

不過,目前暫時還不清楚美光的基礎晶片設計,其除了基本的功能外,可能還會有什麼樣的功能。根據市場預期,美光新一代的基礎晶片將有增強的暫存、為特定應用程式(如 AI、HPC、網路等)所量身訂做的自行定義介面協議、記憶體到記憶體傳輸功能、可變介面寬度、先進電壓縮放和供電控制,以及自行定義 ECC 與安全性演算法等。由於涉及到標準方面的問題,也尚不清楚 JEDEC 標準是否支援此類客製化內容。

美光表示,當前 HBM4E 的開發工作順利,已經與多個客戶進行合作,可以預期會採用不同的基礎晶片和配置,達成客製化設計的目標。同時,美光在 HBM4E 部分還可能支援 Marvell 的客製化 HBM 運算架構,以便更好得客製化各種 XPU 和 HBM 解決方案。

此外,美光的 HBM4 將採用第五代 10 奈米製程技術的級別 1b 製程來生產,預計用於輝達的 Rubin 和 AMD Instinct MI400 系列 GPU 上。這相較於競爭對手 SK 海力士和三星都傾向於採用更為先進的第六代 10 奈米製程技術的級別 1c 製程來生產,其市場競爭優勢有待考驗。

(首圖來源:shutterstock)

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留言 1

  • Jerrome
    中國急起直追了..中國DDR5都成功量產了..HBM也快攻克…ㄧ旦攻克…南科的現在的股價就是美光明天的股價了🤭🤭🤭🤭🤭
    17小時前
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