2026 年 DRAM 三大廠產能成長約 5% 達 1,800 萬片，仍難緩解缺貨
韓媒報導，根據最新的市場數據與業界分析，全球記憶體三大廠儘管已紛紛啟動產能擴張計畫，但仍難以緩解目前市場上嚴重的記憶體荒。這是因為 AI 伺服器對高性能記憶體的需求呈現爆炸式成長，導致傳統 PC、智慧型手機等終端應用市場面臨嚴重的供貨短缺，預計這波漲價潮將貫穿 2026 年全年。
根據朝鮮日報的報導，市場調查機構 Omdia 的最新數據顯示，韓國三星計畫在 2026 年將 DRAM 的晶圓（Wafer）投入量提升至接近 800 萬片的水準。 具體而言，三星 2026 年的 DRAM 晶圓產量預計將達到 793 萬片， 較2025 年的 759 萬片增長約 5%。 這一成長主要依賴於平澤工廠（Pyeongtaek Campus）的產能釋放，預計三星的單季平均產量將首次突破 200 萬片大關。
與此同時，SK 海力士的產能成長幅度預計將超越三星。資料指出，SK 海力士 2026 年的 DRAM 產量將從2025年的 597 萬片提升至 648 萬片，增幅約為 8%。 這一成長動能主要來自於其清州 M15X 工廠的擴產投資，相關產能預計從2026年下半年開始正式計入產量數據。 相比之下，美光則顯得較為保守，預計其2026年全年產量將維持在與2025年相近的 360 萬片水準。
報導表示，儘管晶圓投入量有所增加，但實際的晶片產出卻面臨技術瓶頸。業界分析指出，三星電子在推動 10 奈米 6 代 DRAM（1c）工程轉換的過程中，會面臨暫時性的生產能力損失。 這種因技術升級導致的有效產能下降，使得即便晶圓投入增加，最終的市場供應量增幅仍可能低於預期。而這種現象在全球記憶體短缺背景下顯得尤為嚴峻。由於目前市場需求遠超供給，業界普遍認為，這種暫時性的產能縮減將進一步支撐高頻寬記憶體（HBM）及傳統 DRAM 價格的持續上揚。
另外，目前的市場供需失衡程度已達到令人憂慮的水平。根據市場分析師的說法，目前 DRAM 供應商對客戶的需求滿足率僅約為 60%，而伺服器專用 DRAM 的滿足率更是低於 50%。 這意味著市場上有一半的伺服器記憶體需求無法得到及時供應。至於，造成這一局面的核心原因在於供應商的戰略調整，也就是三星、SK 海力士與美光等廠商優先將先進製程節點與新建生產設施分配給伺服器用產品及 HBM。這種資源傾斜直接導致了 PC 和智慧型手機製造商的困境，這類終端設備商目前甚至只能取得所需記憶體量的一半左右。
在目前供應極度受限的情況下，記憶體合約價格正經歷劇烈震盪。市場研究機構 TrendForce 預測，2026 年第一季 DRAM 的合約價格將較上一季度上漲 55% 至 60%。 此外，受惠於伺服器需求的大幅激增，Nand Flash 的合約價格在同期也預計將上漲 33% 至 38%。特別是在伺服器市場，漲價動能最為強勁。預計2026年第一季伺服器專用 DRAM 的價格漲幅將突破 60%。這種劇烈的價格波動，反映出供應商在產能受限的情況下擁有極高的議價權。
報導強調，值得注意的是，儘管 PC 市場的終端需求因筆記型電腦出貨量減少及規格下修而顯得相對疲軟，但這並未能阻止價格上漲。由於記憶體廠商大幅削減了對 PC 製造商和模組廠商的供應配額，PC 用 DRAM 價格預計在 2026 年上半年仍將保持陡峭的上升趨勢。
而在行動裝置市場方面，供應短缺的陰影同樣揮之不去。報導說明到，未來幾季內，行動端記憶體的合約價格將持續呈現急劇上漲的態勢。這對於手機品牌商而言，無疑將增加其生產成本壓力。
報導最後指出，面對當前的供應危機，業界專家認為，短期內難以見到根本性的緩解。全球 DRAM 市場的供應短缺問題，恐需等到三星電子平澤園區 P4 新工廠正式投產後才具備緩解契機。 根據目前的工程進度與內部預測，P4 工廠最快也要到 2027 年以後才可能投入營運。同樣地，SK 海力士也需要等到龍仁半導體集群正式啟動運作，才能顯著提升其整體的生產能力。在這些大型基礎設施完工之前，全球記憶體市場將長期處於緊平衡甚至是供應不足的狀態。
因此，整體來說 2026 年的記憶體市場正處於一個由 AI 需求主導的強勢周期。雖然三星與 SK 海力士試圖通過增加晶圓投入來緩解壓力，但受限於新製程轉換的產能損耗、對 HBM 的資源優先配置，以及新工廠建設的長期周期，市場供給缺口在短期內依然巨大。,對於下游的 PC、手機及伺服器業者而言，如何在這波價格飆升與供貨不穩的浪潮中確保供應鏈安全，將成為 2026 年最重要的經營課題。
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