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國際

俄軍彈道飛彈挖出「真空管」?揭開蘇聯時代流傳至今的抗核脈衝神話

科技新報

更新於 01月19日07:54 • 發布於 01月18日15:33

近日,烏克蘭基輔鑑識科學研究所(Kyiv Scientific Research Institute of Forensic Expertise)公開拆解了俄羅斯「榛果樹」(Oreshnik)中程彈道導彈的殘骸,其中引人注目的發現是其中一個標榜先進的「微電路」模組中,竟然包含了一枚真空管。

面對外界對於俄軍電子技術依舊停留在上個世紀的質疑,俄方消息來源迅速祭出了一套經典的辯護詞,再次將這種設計包裝為「獨門絕技」(Analog-free)。

俄方宣稱,使用真空管是為了抵禦核爆產生的電磁脈衝(EMP),因為核爆會瞬間燒毀所有現代半導體晶片。然而,這套聽起來充滿「蘇聯暴力美學」的說詞,究竟是深謀遠慮的戰略選擇,還是掩蓋技術代差的遮羞布?

真空管抗 EMP?一個長達半世紀的迷思

俄方的解釋是延續冷戰時期蘇聯說法,這個論點認為蘇聯軍用電子設備之所以依賴真空管,是為了在核戰環境下生存。這套理論生命力極強,在蘇聯解體後數十年仍被廣泛引用。

真相遠比宣傳來得複雜,從物理特性來看,如果一套電子系統「完全」由真空管構成,確實對 EMP 有極高的抵抗力,但問題在於,要達成這種防護,系統必須徹底屏棄現代電子元件,這代表不能有微處理器、沒有固態記憶體、沒有微控制器,甚至連場效電晶體(MOSFET)都不能用。

若依照此邏輯打造導彈導引系統,它的體積會跟衣櫃一樣大,耗電量驚人而且會產生龐大廢熱,更別提需要極粗的內部配線與脆弱的接點,要在現代極音速飛彈的空間內實現這種「全真空管」架構,在工程上可說相當不切實際。

現代抗電子脈衝:早就不需要真空管

現代微電子技術的存在基礎就是電晶體與半導體,而真空管絕非抗 EMP 的唯一方法,更不是最聰明的解方。

現代軍工產業針對抗輻射與抗電磁脈衝,早已發展出一套成熟的 SOP,這包括了物理層面的法拉第籠屏蔽(Shielding)、訊號濾波設計、強化的電路佈局,以及使用特殊材料製程,例如「藍寶石基板矽」(Silicon-on-Sapphire, SOS)技術,這些技術能讓精密脆弱的奈米級晶片,在惡劣的電磁環境下依然穩定運作。

美軍義勇兵三型的歷史反證

最直接打臉「真空管抗核論」的例子,可以追溯到 1960 年代的美國,當時美軍研發的 LGM-30G 義勇兵三型(Minuteman III)洲際彈道飛彈,同樣是以在核戰環境下進行核反擊為設計目標。

義勇兵三型於 1970 年正式服役,至今仍是美國核威懾主力之一,其核心的導引與控制單元採用的是基於早期積體電路(IC)的數位電腦,負責儲存飛行軌跡並在發射前快速重新瞄準,而早在 1977 年這套系統就已解密並移交博物館展示。

在美國國家航空太空博物館(National Air and Space Museum)展出的義勇兵三型導引單元中,我們看不到任何真空管的蹤影,全是半導體元件,然而這套系統卻通過了嚴格的抗核脈衝認證。

結語

當大洋彼岸的導彈在半個世紀前就已利用半導體實現了抗核戰能力,俄羅斯在 2024 年仍需搬出真空管來解釋其最新型導彈的設計,這恐怕反映的不是對抗 EMP 的獨到見解,而是其國防電子工業在後蘇聯時代長期的技術停滯,因此所謂的「抗核脈衝設計」,說穿了或許只是無法取得或製造高規抗輻射晶片下的無奈妥協。

(首圖來源:Defense Express

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