三星HBM4傳調漲三成 記憶體荒恐一路燒到2027年
韓國《朝鮮日報》引述消息人士報導，三星電子正針對其最新一代 HBM4 晶片的定價與客戶展開談判，預期將較上一代產品大幅調升約 30%，達到約 700 美元的水準，SK 海力士也將把 HBM4 價格設在此一價位。
市場分析指出，此舉不僅反映了高階晶片市場供應持續短缺的現狀，更象徵三星在 AI 記憶體領域強勢的「定價話語權」。
競爭對手 SK 海力士亦傳出將採取相近的定價策略，同步拉高 HBM4 的報價，以應對來自輝達（Nvidia）等核心客戶的強勁需求。
分析師預估，這項價格調整計畫，可望帶動三星 HBM4 的營業利潤率攀升至 50% 到 60% 之間。
分析師預期，隨著三星擴大向輝達供應高階晶片，其產品平均售價與 SK 海力士之間的差距有望在 2026 年進一步縮小，顯示出三星在 AI 初期落後後的反攻力道已顯著奏效。
面對記憶體市場的超級週期紅利，三星與 SK 海力士正積極調整策略，將原定的擴產計畫提前實施。
三星已將平澤 P4 工廠的投產時間提前至今年第四季，重點部署高效能 DRAM 與 HBM 產線；SK 海力士也計畫將龍仁一期廠的試運行提前至明年初。
兩大廠商一改過往謹慎產能擴張的態度，積極提升高附加價值產品的供給，力求填補目前訂單滿足率僅約 60% 的龐大缺口。
市場普遍認為，受惠於 AI 資料中心對高性能記憶體的剛性需求，DRAM 與 NAND 快閃記憶體的需求成長率將持續超越供應增長速度。
根據花旗集團及多家市場研究機構的預測，這種供不應求的「記憶體短缺潮」極有可能延續至 2027 年，這將持續支撐韓國晶片雙雄的獲利表現，並進一步鞏固其在全球半導體供應鏈中的戰略地位。
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