輝達Rubin拉高門檻 三大記憶體廠急修設計 提前卡位16層HBM4
輝達 (NVDA-US) 推出下一代 Rubin）平台，其對高頻寬記憶體（HBM）的極致需求，徹底點燃了記憶體大廠間的戰火。由於輝達將傳輸速度規格提升至 11 Gbps 以上，全球三大記憶體巨頭：SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 目前正緊鑼密鼓地修改 HBM4 設計並重新提交樣品。
儘管 12 層 HBM4 尚未全面投產，市場已提前將焦點轉向 2026 年下半年的 16 層規格需求，這也象徵著 HBM 產業邁入技術門檻更高的全新賽局。
目前身處領先地位的 SK 海力士，憑藉其深厚的 MR-MUF 製程技術穩定產出。該公司在 CES 上首度亮相 16 層 HBM4，其容量達 48 GB，頻寬更突破每秒 2 TB 大關。儘管將晶圓減薄至 30 微米以符合封裝高度限制面臨極大技術挑戰，但海力士透過優化材料與散熱能力，力求在傳統製程基礎上發揮最大效能。
三星則採取「製程領先」策略，試圖以更先進的 1c 奈米（10 奈米級第 6 代）工藝結合 4 奈米邏輯底座來實現超標性能，目前其 1c 型 DRAM 良率正穩步提升。
此外，三星亦積極佈局混合鍵合技術，目標在 2028 年推出更高端的 HBM4E 產品，並計劃在 2026 年大幅提升產能以奪回市場主導權。
與此同時，美光科技也不甘示弱，宣佈其 HBM4 產品已達成業界領先的 11 Gbps 以上速度，並將競爭重點放在低功耗技術與產能擴張。美光預計於 2026 年第二季度啟動高量產轉型，並計畫透過在日本廣島與新加坡新建的先進封裝廠，解決過去困擾公司的產能瓶頸。
隨著輝達要求的 16 層 HBM4 供貨期逼近，這三家記憶體巨頭的量產時程預計將集中在 2026 年第一季末至下半年，屆時技術成熟度與良率的競爭將決定誰能成為 Rubin 平台最大的供應夥伴。
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