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極速啟動!SK海力士量產12層堆疊HBM4 穩坐輝達Rubin平台核心供應商

anue鉅亨網

更新於 4小時前 • 發布於 4小時前
圖:Pixabay/Unsplash/Pexel

根據韓媒《The Bell》最新報導,SK 海力士已正式啟動針對輝達下一代 AI 平台「Vera Rubin」供應的 12 層堆疊 HBM4 量產出貨,目前產品進入產能提升階段,預計自今年 9 月起大規模量產。

報導指出,此次從投入晶圓到最終出貨僅耗時兩個多月,遠低於業界常規的四個月周期,主要歸功於雙方緊密配合,SK 海力士開啟緊急生產模式賦予最高工序優先級,輝達則簡化品質驗證流程,以確保供貨急迫性。

根據市場估算,SK 海力士有望拿下輝達 HBM4 總供應量約 60% 的份額,部分觀點甚至看好佔比攀升至 70%,進一步鞏固核心首選地位。

技術面上,SK 海力士 HBM4 核心晶片採用 10 奈米級第五代 (1b)DRAM,基底晶片採用台積電 12 奈米製程,兼顧性能與成本控管,相較三星電子具備顯著成本優勢。

隨著 2026 年下半年出貨遞增,預計第四季 HBM4 在整體 HBM 銷售佔比將正式超越 HBM3E,成為 SK 海力士營收主力。

除穩固輝達訂單外,SK 海力士亦積極拓展多客戶布局,繼上月完成輝達 12 層 HBM4 量產後,本月已啟動對超微半導體的 8 層堆疊 HBM4 出貨。

從極速量產、優化認證到多客戶落地,SK 海力士正全方位領跑全球 HBM4 商業化進程。

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