國產DUV量產震撼市場！長鑫掀記憶體戰 台廠警報響起
Newtalk新聞
中國半導體自主化再有新進展。根據《The Information》報導，中國國有企業已開始量產國產浸潤式 DUV（深紫外）曝光機／光刻機，今年預計生產約5台，2027年年產量可望提升至20台，首批設備將交付中芯國際（SMIC）、華虹半導體及記憶體大廠長鑫存儲（CXMT），目標降低對荷蘭、日本設備供應商的依賴，並提升中國晶圓製造自主能力。
另一方面，長鑫存儲昨日正式於上海科創板掛牌，募資約86億美元，成功募集大量資金後，市場預期將加速DRAM擴產，也讓投資人開始擔憂未來記憶體市場供給增加，競爭進一步升溫。
市場情緒已率先反映相關利空。美國夜盤美光（Micron）、Sandisk股價重挫，韓國記憶體族群早盤同步大跌。雖然第三季DRAM合約價仍預估有望上漲20%以上，但NAND Flash現貨價格已因消費性需求疲弱、客戶拉貨意願下降而回落，市場開始提前反映未來供需變化。
萬寶投顧研究部臉書解析，第一線受到影響的將是成熟製程晶圓代工及一般型記憶體市場。由於國產浸潤式DUV優先交付中芯國際、華虹半導體及長鑫存儲，等同提供中國晶圓廠更多自主擴產工具，有助成熟製程及DRAM產能持續增加。
對台廠而言，成熟製程晶圓代工包括聯電、世界先進，以及記憶體廠南亞科、華邦電、旺宏等，市場情緒可能因此承受壓力。其中南亞科因產品與長鑫存儲重疊度最高，被認為是主要競爭對手；華邦電以特殊型DRAM、NOR Flash及客製化產品為主，受影響相對有限；群聯以NAND控制IC為主，直接衝擊較小。
分析師楊惠宇表示，長鑫昨日在上海科創板掛牌，募資約 86億美元，目前全球DRAM市占約 8%～9%，排名第四，對HBM、高階AI記憶體影響不大，但對一般型DRAM則會比較有影響，但不是短期，南亞科影響會較大，因為是主要競爭者，華邦電是特殊型DRAM、NOR Flash及客製化產品影響較小，群聯則是較無影響。
國泰證期顧問也指出，長鑫存儲持續擴充DRAM產能，短期以替代中國進口市場為主。若良率提升，南亞科、華邦電將面臨DDR4及中低階DDR5價格壓力；威剛、創見、十銓可望受惠成本下降，但須留意庫存跌價風險，長期仍觀察2027~2028年良率與客戶驗證。
※Newtalk提醒您：
#投資一定有風險，投資有賺有賠，投資前應檢視自身能力，申購前應詳閱公開說明書。