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國際

記憶體短缺成為中國發展契機 長鑫、長江存儲積極擴產搶市場

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更新於 9小時前 • 發布於 9小時前 • 王能斌
產業界人士認為,AI發展熱潮為中國記憶體產業創造了擴大市占率的契機,圖為在北京舉行的科技展會中,好奇民眾正在端詳記憶體晶片與產品。(資料照片/美聯社)

近年來人工智慧(AI)發展熱潮越燒越旺,全球各國紛紛大力挹注相關設備新建,試圖獲取更多算力,由於AI運算除了關鍵的晶片之外,更需要大量記憶體搭配,因此自去年起,全球記憶體晶片短缺趨於明顯,且缺口也隨著資料中心不斷落成而持續擴大,對此,業界人士認為供應短缺正為中國廠商創造契機,若能夠適時擴張產能,將可搶下新的市占率,進而在全球站穩腳步。

中國廠商正在大幅擴充產能 大舉搶占記憶體市場

日經亞洲(Nikkei Asia)指出,知情人士透露中國最大的動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商「長鑫存儲」(CXMT),目前正在上海進行產線擴建,使該廠區產能最終達到合肥總部的2至3倍之多,預計將投入包括伺服器、電腦、汽車與其他電子產品所需DRAM晶片的生產,目前計畫在今年下半年進行設備安裝,並在2027年正式投產。

此外,長鑫存儲也正在上海擴張對於AI運算至關重要的「高頻寬記憶體」(High Bandwidth Memory, HBM)產線,以因應目前市場供不應求的現況;知情人士指出,目前長鑫位於合肥以及北京的工廠都已滿載全速運轉,由於中國境內企業對於HBM的需求仍在高水位,因此期望能夠盡快擴張產能。

於此同時,總部位於湖北武漢、中國主要NAND快閃記憶體生產商「長江存儲」(YMTC),也正在武漢建設第3座工廠,計畫在2027年投產,且該集團也決定除了用於資料儲存的NAND快閃記憶體之外,新產線的一半產能將用於生產DRAM記憶體,同時也正在與中國境內的記憶體模組廠商合作,進行HBM記憶體的生產。

舊製程機具改良 成為突破制裁限制的關鍵

根據3名知情人士說法,長江存儲透過舊款機具的使用,基本上已經克服了因為全球多國實施出口限制,從而造成晶片製造設備取得受限的問題,並且也已完成DRAM產品的自主研發,1名供應商人士指出長江存儲「2年前展開DRAM自主研發,目前已經掌握相關技術與市場,產出高品質DRAM以及HBM晶片只是時間問題」。

在此之前,長江存儲一度可望打入蘋果供應鏈,旗下NAND記憶體產品也獲得蘋果展開認證,以便iPhone產線採用的程序,然而該公司於2022年遭美國政府列入貿易黑名單之後,相關計畫隨之中斷,不過北京當局隨即大力推動本土科技供應鏈以及記憶體晶片成長,使長江存儲獲得發展動力。

為包括美光(Micron)以及長鑫存儲、長江存儲等記憶體集團供應原料的企業高層直言,目前是長鑫、長江兩家企業「鞏固在全球供應鏈地位的最佳時機,因為只要能夠掌握了記憶體晶片的供應,就能成為贏家」,且該名高層也認為「記憶體產業的蓬勃發展,至少可持續2年甚至更長的時間」。

AI浪潮為中國廠商創造契機 市占率可能進一步擴張

總部位於法國的半導體研究機構Yole Group數據顯示,長鑫存儲目前已是全球第四大DRAM製造商,占有市場份額約11.1%,前三名則分別是南韓三星電子(Samsung)、南韓SK海力士(SK Hynix)以及美國的美光,根據估計,長鑫的市占率2027年將進一步成長至13.9%。

於此同時,長江存儲旗下晶圓的市占率,也可能從2025年的12%,成長至2028年的15%,由前述數據都可看出,在AI發展使國際競爭者產能吃緊的情況下,使中國廠商獲得利用大規模增產擴張市占率的契機,不過包括長鑫存儲以及長江存儲,都並未針對此事發表評論。

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