中國急起直追，台灣2029年將失晶圓代工寶座？IDC揭半導體新變局
研究機構IDC（國際數據資訊公司）預估，2026年全球半導體市場規模將達8,900億美元，年成長率11%，在AI基礎建設投資支撐下，維持雙位數成長，並持續朝1兆美元大關前進。整體產業動能仍由AI伺服器、資料中心與先進製程驅動，但在地緣政治、產業政策與供應鏈重組交錯影響下，半導體版圖也正快速重組。
對台灣而言，這一波趨勢「喜憂參半」。一方面，先進製程、CoWoS與封測仍站在全球供應鏈最前緣，直接受惠於AI晶片需求爆發，產業動能明確。另一方面，中國在成熟製程與IC設計領域的快速追趕，已實質改變區域競爭結構，甚至連台灣的晶圓代工霸主地位，都被IDC點名在2029年出現翻盤風險。
IDC：台灣先進製程、先進封裝與封測持續領先
在AI運算需求持續擴張之下，台灣半導體最具結構性優勢的戰場，仍然集中在先進製程、先進封裝與高階封測。從製程節點演進、CoWoS產能規模到封測市占結構，IDC的預測顯示，台灣在高階製造供應鏈的核心地位，短期內仍難以被取代，並將持續承接全球AI晶片擴產的主要動能。
先進製程市場｜持續快速成長，2026年台積電市占73%
隨著AI晶片算力需求呈指數型成長，市場對電晶體密度與能效的要求同步拉高，進一步推升3奈米與2奈米製程的採用率。4奈米以下先進製程將是2026年晶圓代工市場成長的核心引擎，預計帶動晶圓代工整體產值年增20%。
主要晶圓代工廠正加速布局下一代技術節點，預期台積電市占率將攀升至73%，並擴充產能以因應強勁需求。至於三星與英特爾，則在歷經投資調整期後，轉為採取更精準的投資策略，未來將把資源集中於2奈米產能布局，以及1.4奈米製程的研發。
CoWoS產能｜2025年成長113%，2026年再增72%
IDC指出，2024年到2025年CoWoS產能年增113%，2025年到2026年將會再成長72%，但仍供不應求。2026年CoWoS需求結構中，輝達佔比高達57%，博通20%，AMD8%，Marvell與世芯各4%，聯發科約2%，世界約1%。
台積電持續全力擴產，預計2026年全年CoWoS產能擴增至110萬片，但面對輝達、AMD與博通等大廠的龐大需求，市場仍存在供需缺口，溢出的訂單將成為各家封裝業者競逐的焦點。
日月光、矽品憑藉FOCoS（（Fan-out Chip on Substrate））技術，預計開始承接外溢訂單；Amkor（艾克爾科技）則以韓國廠接單，並深耕美國亞利桑那州新廠；至於英特爾的EMIB技術，也有機會在良率穩定後，於雲端服務業者自研晶片市場取得更多比重。
委外封測市場｜直到2029年台灣依然居首，市占42%
在封測領域，IDC預估2026年全球OSAT市場成長率為10.9%。2025到2029年，台灣與美國OSAT市場年複合成長率皆為9.1%，中國約8.6%，其他地區約6.2%。以2029年市占來看，台灣以42%居首，其次是中國33%，美國16%，韓國約3%，其他地區合計6%。
在「半導體自主化」政策推動下，中國晶圓代工成熟製程產能快速提升，下游OSAT（將晶片的封裝與測試外包）產業也隨之擴張，逐步形成完整的製造產業鏈。
至於台灣與美國OSAT大廠，如日月光、矽品、京元電與Amkor，則在AI晶片需求帶動下，逐漸掌握輝達、AMD等高階晶片的外溢訂單，預計2025到2029年台美OSAT產值年複合成長率將達9%。
成熟製程回溫，中國在設計與產能端急起直追
相較於先進製程仍由台灣主導，真正出現結構性變化的領域，已開始轉向成熟製程、IC設計與整體產能版圖。
在中美科技競逐與出口管制持續收緊的背景下，中國加速將產業資源導向受限制較小的成熟製程與本土IC設計，形成另一條快速放量的成長路徑，也直接改變亞太區半導體競爭結構。
目前台灣在IC設計市占已落居中國之後，IDC進一步預測，至2029年，中國晶圓代工產能占比有機會超過台灣。
成熟製程市場｜12吋與8吋產能利用率回溫，升至8成以上
成熟製程歷經兩年調整後已走出谷底。2025年下半年受惠於關稅避險與供應鏈預防性備貨，產能利用率明顯回穩。展望2026年，受惠於AI資料中心對矽光子、矽鍺（SiGe）等高速傳輸晶片，以及高效能電源管理IC（PMIC）的強勁需求，預計平均產能利用率將穩定維持在80%以上。
其中，12吋成熟製程平均產能利用率自2024年第一季約75%，一路回升到2025年第四季84%，2026年最高約85%，全年維持在83%左右的高檔。8吋成熟製程則從2024年第一季約66%，在2025年第三季回到81%，2026年可穩定維持在81%到82%區間。
IC設計市場｜臺灣退居全球第三，中國2026年市占45%
IDC預測，亞太區IC設計市場2026年將成長11%，但區內結構已出現明顯變化。中國在國家政策與本土市場需求帶動下，IC設計產值已於2025年正式超越臺灣，2026年市占率將進一步擴大到45%，台灣則調整至40%。
消長主因在於中國近年在本土AI晶片與高階手機處理器上的技術突破，加上大量新創公司切入邊緣運算與物聯網晶片市場，帶動整體營收呈現倍數成長。
IDC也直指，台灣排名下滑的關鍵，在於「缺乏自主研發的AI晶片」，目前除了聯發科之外，多數IC設計業者仍缺乏來自AI晶片的營收貢獻；即使將世芯、創意等IC設計服務業者一併納入計算，整體市占規模仍難以追上中國。
晶圓代工市場｜2029年中國超越台灣登頂，產能占37%
在美國出口管制限制先進製程設備的情況下，中國轉而集中資源擴充受限制較小的成熟製程，並扶植本土設備與材料供應鏈，確保電動車、工控與物聯網等關鍵晶片的自主供應。美國則透過台積電亞利桑那廠等新建案強化在地製造能力，Fab21P2A預計於2027年量產3奈米。日本除台積電熊本廠外，也加碼支持Rapidus在2027年挑戰2奈米量產。
IDC預測，2029年中國將握有全球37%的晶圓代工產能，台灣為35%，美國占8%，日本與歐洲各約3%，並將在2028年超越臺灣，成為全球最大晶圓代工產地。從2025到2029年的產能複合成長率來看，中國約9.8%，日本10.0%，美國8.4%，臺灣則約2.8%。
整體來看，AI需求仍是驅動半導體產業成長的最核心動能。IDC也觀察到，隨著雲端業者加速導入自研晶片，AI伺服器加速器正快速朝ASIC傾斜，帶動整體算力基礎建設的投資結構出現變化；另一方面，從晶圓代工、非記憶體IDM、封測到光罩的「Foundry 2.0」生態系，也正同步擴產成形。