全球最薄絕緣體 交大研發成功
〔記者簡惠茹／台北報導〕交通大學電子物理系張文豪教授研究團隊在科技部支持下，與台積電合作，開發出全球最薄、厚度只有○．七奈米的超薄二維半導體材料絕緣體，可望進一步開發出二奈米甚至一奈米的電晶體通道，論文登上國際頂尖期刊「自然(Nature)」。
與台積電合作微縮技術
台積電正在推動三奈米的量產計畫，指的就是電晶體通道尺寸越小、電晶體尺寸就能再縮小。張文豪表示，而在不斷微縮的過程中，電子就會越來越難傳輸，導致電晶體無法有效工作，二維半導體材料是目前科學界認為最有可能的解方之一。
單晶氮化硼在銅上生長
二維半導體材料特性很薄，平面結構只有一兩個原子等級的厚度，也因此傳輸中的電子容易受環境影響，需要絕緣層來阻絕干擾。張文豪指出，目前半導體使用的絕緣層多半是氧化物，一般做到五奈米以下就相當困難，團隊開發出的單晶氮化硼生長技術，成功達成○．七奈米厚度的絕緣層。
文章第一作者台積電技術主任陳則安為清大化學系博士，他表示，單晶是指單一的晶體整齊排列，單晶對於未來半導體結構比較有幫助，因為假設絕緣層不是單晶結構，中間會出現很多缺陷，電阻經過的時候可能被缺陷影響，導致效能變差。
陳則安說，過去科學界認為，銅上不太可能出現單晶生長，但是研究團隊在實驗發現，微米單位範圍內氮化硼有同向生長的狀況，排列出單一晶體，因此透過分析這極小的區域，調整實驗參數和選擇材料，不但可以單晶生長，還能做到大面積二吋晶圓的尺寸。
台積電處長李連忠曾經是中研院原分所研究員，他表示，跟交大合作讓單晶氮化硼在銅上生長，對於未來電晶體尺寸再縮小很有幫助，但還有很多關鍵技術要突破，目前無法說明量產時間。