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三星首發12層HBM4E樣品 股價飛漲 要衝16層仍面臨挑戰

anue鉅亨網

更新於 05月29日07:50 • 發布於 05月29日07:50
圖:Pixabay/Unsplash/Pexel

三星電子周五 (29 日) 宣布,已正式開始向全球主要客戶發送業界首批 12 層 HBM4E(第五代高頻寬記憶體擴展版) 樣品。代表三星在 AI 記憶體晶片市場的競爭中取得重要進展,力求縮小與產業龍頭 SK 海力士之間的差距。受此利多消息提振,三星電子股價當日一度大漲 6.5%,報 31.15 萬韓元

三星推出的 12 層 HBM4E 晶片,在傳輸速度與容量上均有顯著提升。該產品穩定引腳速度達 14Gbps,並可擴展至最高 16Gbps,單疊層頻寬高達 3.6 TB/s。與上一代產品相比,12 層堆疊技術使單顆晶片容量達到 48GB,增幅超過 30%。

此外,三星也計畫根據客戶需求,進一步擴展產品線至 8 層 (32GB) 與 16 層 (64GB) 規格。

在製造工藝方面,HBM4E 採用了三星最先進的 第六代 10 奈米級 DRAM(1c) 製程,並結合三星晶圓代工的 4 奈米邏輯基底晶片,這使得產品在穩定性與可製造性上具備優勢。

針對 AI 運算產生的巨大熱能,三星優化了封裝結構,使能效提升了 16%,熱阻特性改善了 14% 以上,能更有效解決下一代數據中心的散熱與節能難題。

16 層堆疊的「外衣」難題

儘管技術規格傲人,但 HBM 邁向更高層數 (如 16 層) 時面臨著嚴峻的物理極限。隨著 HBM4 逐漸推向 16 層,封裝環節中的「環氧塑封料 (EMC)」或升級版的「顆粒狀塑封料 (GMC)」成為關鍵瓶頸。HBM 因堆疊密度高且運作溫度極高,底部與頂部的溫差可達數十度,封裝材料必須同時滿足高導熱、高絕緣與熱膨脹係數匹配這三個相互矛盾的條件。

目前全球能供應 HBM 等級 GMC 的廠商寥寥無幾,日本住友電木仍佔據龍頭地位。由於 HBM4 對 GMC 的要求較前代提高了一到兩個量級,供應鏈的產能與配方迭代速度已逐漸跟不上需求,成為整棟「AI 大樓」中最緊張的環節。

三星與 SK 海力士正致力於自研或尋求多樣化供應鏈,以確保未來 16 層 HBM 的穩定出貨。

市場佈局與競爭態勢

三星此次快速迭代,距其 2026 年 2 月量產 HBM4 僅隔 3 個月,顯示其正全力加速搶奪 AI 基礎設施市場。

目前,三星的 HBM 客戶已涵蓋 NVIDIA(Rubin 平台)、Google(Ironwood TPU) 及 AMD 等科技巨頭。根據 Counterpoint 研究數據,2025 年第四季全球 HBM 市場由 SK 海力士佔據 57% 份額領跑,三星以 22% 緊隨其後,美光則為 21%。

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