(影) 中國光刻機突破原來是這樣? 專家爆 : 曝光工序拉長生產週期、良率降低、成本暴增
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知名半導體研究機構《SemiAnalysis》近期發布最新拆解報告，針對華為最新款的麒麟 9030 晶片進行深度技術分析。報告明確指出，在缺乏極紫外光（EUV）光刻機的嚴格設備限制下，華為與中芯國際確實成功透過深紫外光（DUV）的多重曝光技術，持續突破了先進晶片的製程瓶頸。這項技術進展顯示，即使面臨長期的出口禁令，中國半導體產業仍試圖在夾縫中尋求實質的技術突圍。
進一步解析中芯國際的 N 3 製程技術，《SemiAnalysis》的測量數據震驚了科技業界。該製程的最小金屬間距已經達到 32.5 奈米，這項關鍵指標甚至比美國晶片巨頭英特爾（Intel）最先進的 18A 製程所標示的 36 奈米，還要再縮小約 10% 左右。單就金屬間距這項影響電晶體密度的數據來看，中芯國際在特定製程節點上，確實已經達到了全球領先的技術水準，展現出不容小覷的研發能量。
然而，這項驚人的技術突破背後，卻伴隨著極其高昂的代價。分析師強調，高度依賴 DUV 進行多重曝光，意味著晶片製造必須經歷更複雜的曝光工序，這不僅大幅拉長了生產週期，更導致良率顯著降低，進而使整體的晶片生產成本急遽飆升。這反映出美國實施的半導體設備出口管制與制裁措施，確實對中國產生了強烈的實質打擊，顯著墊高了中國晶片廠商在每一步技術推進上的財務與時間成本。
儘管如此，這份拆解報告也得出了一個關鍵結論，即華為與中芯國際的合作案例證明，美國的限制雖然讓先進晶片的製造成本變得極為高昂，但依然無法完全阻止中國在半導體技術上繼續向前邁進。未來中美兩國在科技與晶片領域的角力，恐將因為這顆新晶片的問世，迎來更加激烈的防堵與反制攻防戰。