嵌入式深溝槽電容技術 解決供電痛點
AI浪潮推升高效能運算（HPC）與AI伺服器需求爆發，晶片效能提升帶動功耗增加，業界預估，下一世代AI加速器功耗將朝千瓦（kW）等級邁進，在先進封裝晶片內提供穩定且高效率的供電能力需求，達到瞬間供電，讓嵌入式深溝槽電容技術受市場高度關注。
業界指出，DTC是透過半導體製程在矽晶片內蝕刻出深溝槽結構，形成高密度電容元件，整合至矽中介層（Interposer）或先進封裝架構中。相較傳統製程將電容配置在封裝基板或電路板上，DTC能夠更靠近運算晶片核心，大幅縮短供電距離，降低電壓波動與電源雜訊，提升系統穩定度。
法人分析，DTC不僅可應用於AI加速器與GPU，也適用於網通、車用電子及高階行動處理器等領域，具備相關技術與量產能力的業者，有機會在AI應用成長過程中，成為下一波產業升級的重要受惠者。
除了雲端AI伺服器外，邊緣AI市場同樣為DTC帶來龐大商機，業界補充，像是AI PC、智慧手機、AR眼鏡及各類智慧終端設備陸續導入生成式AI功能，晶片對運算效能與能源效率要求同步提升，相關供電管理技術需求也將水漲船高。
業界分析，AI晶片在高速運算過程中，常出現瞬間電流大幅變化，若供電系統反應慢，影響晶片效能。DTC具備高電容密度與低寄生效應等優勢，提供瞬時電流需求，成為先進封裝提升電源完整性的解決方案。