群電攜英商CGD、劍橋大學 打造氮化鎵GaN 生態系
電源供應大廠群電（6412）宣布與英商劍橋氮化鎵器件公司（CGD），以及英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署三方協議，共同合作開發基於GaN技術的先進、高效率、高功率密度筆電和資料中心電源產品。三方將致力於推動一項「採用先進 GaN 解決方案的創新低功率和高功率切換模式電源供應器」的技術專案。
群電在電源先進技術居全球領先地位，劍橋大學的HVMS小組以其在功率半導體裝置方面的研究和創新而聞名，而CGD 透過執行長 Giorgia Longobardi 和技術長 Florin Udrea 與劍橋大學建立了長期穩固的聯繫，Florin Udrea至今仍然是HVMS小組的負責人。
這次三方合作代表著一個重要的GaN生態系的誕生，將匯聚系統和應用、研究和裝置等各方面的專業知識。這項合作專案預計將提供高效率、高功率密度的筆記型電腦電源供應器原型，同時也將提供適用於資料中心和AI伺服器應用的鈦金牌+高效率/高功率密度（> 100W/立方英寸）CRPS和OCP機架（3kW 至 6kW）的電源供應裝置原型。
群電總經理曾國華表示， CGD 已交付了第二代ICeGaN 系列產品，該系列在耐受度和易用性方面表現非常優異。CGD 起源於劍橋大學，至今與劍橋大學仍保持緊密聯系，該公司擁有 25 年的學術經驗，歷史比許多其他成熟的 GaN 公司還要長遠。
CGD 近期推出了採用ICeGaN 技術的的第二個650V GaN HEMT系列產品，這款 ICeGaN H2系列的 QG 比矽基零件低 10 倍，QOSS 則低 5 倍。這將有助提高切換頻率，減少切換損耗，進而縮小電源供應器的尺寸和重量。