SK海力士ADR破發行價 華邦電、旺宏、南亞科盤中集體跌停
美國蘋果公司正在測試中國長鑫存儲晶片，加深市場擔憂中國記憶體產品進入頂級客戶，引爆美國記憶體類股周一湧現賣壓，南韓SK海力士一舉跌破發行價，Sandisk大跌11%，美光下滑2.25%，威騰電子跌4.2%。
反觀中國記憶體晶片製造商「長鑫存儲」（CXMT）7月27日在上海證券交易所掛牌交易，股價首日暴漲500%，成為今年亞洲規模最大的首次公開募股（IPO）。
華邦電、旺宏、南亞科跌停
受到美國記憶體下挫的拖累，台灣記憶體周二盤中全面急殺，旺宏跌停12.5元，報113元，華邦電也跌停16元，報144元，南亞科跌停43.5元，報392.5元，威剛下跌6.3%，報376.5元。
台灣權值股也下跌，台積電盤中下跌2.34%，報2295元，聯發科下跌7.2%，報3415元，廣達跌3.88%，報309.5元，聯電重挫9.13%，報114.5元，國巨跌停，報563元，已從高點價位腰斬。台股加權指數盤中重挫3.51%或1,532.58點，報42,101.61點，仍在季線下方。
韓股跌更慘，KOSPI指數盤中暴跌8.3%，報6,193.53點，開盤就觸發熔斷，交易所於09:43重新開盤交易。SK海力士盤中重挫12.4%，三星電子盤中大跌10%。
美國財經媒體《24/7》《BigGo》報導，南韓記憶體晶片巨頭SK海力士在那斯達克上市的美國存託憑證（ADR）周一盤中最低跌至139.01美元，跌破149美元的發行價，終場收於143.02美元，大跌7.47%，使得海力士成為繼SpaceX之後，又一家在2026年跌破發行價的知名上市公司。
市場人士指出，在人工智慧（AI）基礎設施投資前景日益黯淡的背景下，投資人在新股市場追漲的意願明顯降低。
SK海力士市值從高點蒸發4700億美元
SK海力士於7月10日以ADR形式在那斯達克上市，募集資金高達265億美元（約8,600億新台幣）。上市初期，受AI記憶體漲價熱潮的推動，SK海力士ADR價格一度飆至194.8美元左右，如今市值已從高點蒸發4700億美元。
然而，近期投資人加速拋售先前漲勢強勁的半導體股票，促使費城半導體指數周一跌至5月19日以來的最低點，美光科技和Sandisk等同業股價也同步走弱，拖累SK海力士ADR價格下跌，迅速抹去先前的漲幅。
《華爾街日報》報導早在6月26日就曾警告，SK海力士ADR比韓國上市的股票溢價16%至51%區間的情況實屬罕見。如今投資人擔憂人工智慧（AI）基礎設施的巨額投資能否回收，以及半導體股票普遍走弱，海力士的溢價迅速收窄。分析師認為，該股未來的走勢將取決於高頻寬記憶體（HBM）的出貨量表現和整體市場風險偏好。
SK海力士ADR溢價為泡沫預警
截至7月24日，溢價幅度仍維持在29%左右。《華爾街日報》直言不諱將這種現象稱為又一個泡沫預警，暗示美國投資人為了參與AI半導體熱潮，願意為同一家公司的股票支付更高價格。
《華爾街日報》報導一份研究報告，分析SK海力士ADR溢價歸因於多種因素，包括美國投資者交易的便利性、對美元結算的需求以及稅收和交易成本的差異。然而，該報告強調，SK海力士的溢價顯然超出合理範圍。
報告提出三種可能的途徑來縮小價格差距：南韓上市股票價格上漲、美國ADR價格回調，或透過增發增加ADR供應。報告也警告說，如果南韓和美國的半導體股票同時出現回調，那麼以溢價購買ADR的投資人將面臨更大的損失。
分析師指出，SK海力士在全球高頻寬記憶體（HBM）市場佔據主導地位，但其美國存託憑證（ADR）的定價已反映過於樂觀的預期。隨著市場出現各種不確定因素，包括下調DRAM平均售價預期的前瞻報告，以及對長期協議中利潤鎖定潛力有限的擔憂，法人機構選擇獲利了結。
SK海力士ADR跌破發行價，不僅反映市場對AI概念股估值的重新評估，也凸顯跨市場套利機制失效時，高溢價交易背後潛藏的風險。隨著全球半導體股進入震盪盤整期，投資人對高估值新股的態度正從狂熱轉向謹慎。