台積電：COUPE成下世代關鍵字 首代微環調變器今年量產

台積電14日舉辦2026年技術論壇台灣場，台積電指出，隨著AI從生成式AI、代理式AI進一步邁向實體AI(Physical AI)，預期全球半導體市場規模預計將提前於今年突破1兆美元，並於2030年擴大至1.5兆美元，其中，高效能運算(HPC)與AI將占整體市場55%。

台積電認為，隨著AI應用由模型訓練逐步轉向推論階段，將持續帶動AI投資成長，並推升半導體需求增加。

繼CoWoS後，COUPE(緊湊型通用光子引擎)將成下一代先進封裝重要關鍵詞。台積電說明，與傳統銅線相比，COUPE將整合共同封裝光學(CPO)解決方案，可提供4倍功耗效率，且延遲減少高達9成。藉由在中介層上使用COUPE技術，提升效能，並實現10倍的功耗效率，以及延遲減少95%。

台積電表示，全球首個搭載COUPE技術的200Gbps微環調變器(MRM)將在今年進入量產，並實現低於1E-08的位元誤差率。此外，台積電將持續推進，目標400Gbps的調變器、多波長技術與多列光纖陣列單元，在2030年達到4Tbps/mm的頻寬密度。

先進製程部分，台積電說明，2奈米已經於去年第四季開始量產，N2P計畫在今年下半年開始量產，搭載超級電軌的A16在今年下半年生產就緒；台積電啟動竹科、高雄共5座廠區同時生產2奈米，第一年產出晶圓量較3奈米同期成長45%。

A14(第二代奈米片)預計2028年如期量產，較2奈米提升最高15%速度，或降低30%功耗；A12將搭載超級電軌，計畫於2029年量產。

A13技術預計於2029年量產，台積電表示，A13與A14完全相容，客戶可更快速將既有A14產品設計移轉至A13。A13較A14縮小約6%晶片面積，並透過設計與製程協同優化，持續提升功耗與效能表現，適用於下一世代智慧型手機、AI及高效能運算應用。

擴廠進度上，台積電在2025至2026年間，全球每年建廠數量已達9座，台積電今年在台灣將興建4座晶圓廠和2座封裝廠，擴產速度以2倍速提升。

為支持客戶對AI及HPC需求，台積電正加速擴充先進製程與先進封裝產能。其中，N2與A16產能預計將迅速拉升，在2026年至2028年間年複合成長率(CAGR)將高達70%；N3與N5製程則預計自2022年至2027年，以25%的年複合成長率持續擴充產能。

台積電也指出，客戶對人工智慧加速器(AI accelerator)需求快速成長，預估2022年至2026年間相關需求將增加11倍，帶動大晶粒晶圓(large die wafer)需求成長6倍。

此外，台積電正積極擴充CoWoS與SoIC等先進封裝產能，2022年至2027年間年複合成長率預估將超過80%。(編輯：沈鎮江)