台積電不用「最強曝光機」做得出1.4奈米？外媒曝解決法寶：這技術更有效益

台積電2奈米即將量產，並同時往1.4奈米製程研發邁進，不過在「埃米時代」中，台積電不打算使用艾司摩爾（ASML）最先進的「高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）」曝光機，引起產業關注。對此，科技媒體《Wccftech》指出，台積電使用「另一項技術」，來替代一台單價4億美元的最新曝光機，無疑更具成本效益，不過也有缺點需要克服。

報導表示，台積電隨著進一步邁向1.4奈米與1奈米節點，晶圓製造難度急遽上升，而在理論上，購買ASML的High-NA EUV曝光機，將能有效解決這個難題。不過台積電決定不採購這個價格高達4億美元的設備，而是改採「光罩護膜（Photomask Pellicles）」技術來克服。

報導提到，台積電目前已投入約新台幣1.5兆，在新竹廠開始1.4奈米的研發工作，同時購置了30個EUV機台。但High-NA EUV昂貴的單價，讓台積電認為其成本與實際效益並不成正比，因此轉而採用光罩護膜技術。

報導指出，不過使用光罩護膜也是一個代價高昂的挑戰，因為在標準EUV機上生產1.4奈米與1奈米晶圓時，需要更多次的曝光才能確保成功，導致負責阻擋灰塵進入的光罩使用頻率大幅增加，進而影響整體良率。

報導表示，台積電之所以選擇光罩護膜這條路，除了更具成本效益之外，也因為High-NA EUV還有另一個缺點，那就是ASML目前每年只能生產約5至6台，供應有限。相較之下，一次購買30個標準EUV，還能夠滿足蘋果等眾多客戶的龐大需求，因此砸重金購買量少價貴的High-NA EUV，對台積電的長期戰略並不划算。

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