中韓 HBM 技術差距「縮至 3 年」！傳長鑫存儲技術已達 HBM3
隨著中國持續尋求突破美國對高階極紫外光（EUV）設備出口限制之際，AI 晶片帶動的記憶體需求激增，也為中國記憶體廠商創造擴大市占率的機會。市場消息傳出，在中國政府大力扶植下，中韓兩國在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術差距已縮小至約3 年，而其中進展最快的企業便是長鑫存儲，該公司也計畫透過首次公開募股（IPO）籌集資金、加速擴張。
韓媒《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）報導，中國在HBM3 技術已追上韓國記憶體大廠三星與SK 海力士。換言之，目前中國在記憶體技術落後韓廠約三個世代。
HBM3 主要用於輝達H100 AI GPU，而H100 也是最早受到美國出口管制、禁止銷售至中國市場的AI 晶片之一。消息人士透露，雖然目前良率仍是限制因素，但從技術能力來看，長鑫存儲已具備生產HBM3 的能力。
隨著中國政府大力支持長鑫存儲擴大產能，預計該公司到2026 年底HBM 月產能達30 萬片12 吋晶圓。
為了掌握AI 記憶體市場快速成長所帶來的商機，長鑫存儲已獲准推動IPO 計畫，預計籌資超過40 億美元，以進一步擴大產能並強化技術研發能力。但業界普遍認為，即使長鑫存儲已具備HBM3 技術，在良率、量產經驗、先進封裝生態系及客戶驗證等方面，與三星及SK 海力士仍存在明顯差距，未來能否真正打入全球AI GPU 供應鏈仍有待觀察。
（首圖來源：CXMT）