中國長鑫存儲上市募資擴產引憂慮 美光、SanDisk、SK海力士ADR崩超8%
《巴隆周刊》報導，中國記憶體製造商長鑫存儲 (CXMT) 即將啟動首次公開募股 (IPO)，市場預期公司將利用募資所得擴充產能，引發投資人擔憂全球 DRAM 供給增加、價格競爭升溫，進而壓抑記憶體業者的獲利表現，拖累美股記憶體族群週三 (15 日) 遭遇沉重賣壓。
美光 (MU-US) 週三狂瀉逾 8%，收每股 904.28 美元；SK 海力士 ADR (SKHY-US) 重挫 9.00%，收每股 176.46 美元；SanDisk (SNDK-US) 也下跌 8.12%，收每股 1,615 美元。
全球第四大 DRAM 製造商長鑫存儲將於週四開始接受投資人申購，並在上海科創板 (STAR Market) 掛牌上市。根據規劃，公司此次 IPO 預計募資 85.5 億美元，較原先目標接近倍增，隱含市值約 855 億美元。
市場認為，這筆募資將協助長鑫存儲持續擴充產能、提升全球市占率，也引發投資人對記憶體供給增加、價格競爭升溫的疑慮。
根據 Counterpoint Research 統計，長鑫存儲今年第一季 DRAM 市占率已由去年同期的 3% 提升至 8%，成為全球第四大 DRAM 製造商。
不過，長鑫存儲與全球領導廠商仍有一段差距。第一季美光 DRAM 市占率為 22%，韓國 SK 海力士 (SKHY-US) 與三星電子 (005930-KR) 的市占率則更高。
美光約 80% 的營收來自 DRAM 業務，其中也包括應用於 AI 伺服器的高頻寬記憶體 (HBM)，這項產品已成為推動公司獲利成長的重要動能。
因此市場擔心長鑫存儲擴大 DRAM 產能後，將加劇市場競爭，進一步壓抑 DRAM 價格與美光等記憶體大廠獲利表現。
值得關注的是，長鑫存儲正面臨多項風險。除了記憶體產業固有的繁榮與蕭條循環外，美國出口管制限制其向艾司摩爾 (ASML) 等供應商取得先進晶片製造設備，使公司更難縮小與全球領先業者之間的技術差距。
長鑫存儲同時面臨地緣政治風險。美國國防部上月將其列為「中國軍工企業」。
《路透》先前報導，美國一個跨部門委員會也已批准將長鑫存儲列入美國商務部實體清單，但相關措施尚未正式生效。
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