富采攜手德國GaN大廠ALLOS 推動8吋矽基氮化鎵LED磊晶片量產
LED 廠富采 (3714-TW) 與德國 ALLOS Semiconductors 今（19 日）宣布締結策略合作，雙方將攜手推動 8 吋矽基氮化鎵 LED 磊晶片（GaN-on-Si LED epitaxial wafer）量產，加速 Micro LED 於 AR 等更多高整合之顯示器應用的發展。
富采擁有全球領先的高階 LED 磊晶製造技術與產能，ALLOS 則具備業界頂尖的 矽基氮化鎵磊晶技術，這項合作象徵 Micro LED 產業供應鏈邁向更加成熟的重要里程碑。
富采與 ALLOS 攜手開發 GaN-on-Si LED 磊晶片，結合富采在 LED 結構上的深厚技術與 ALLOS 矽基氮化鎵緩衝結構技術，不僅亮度與能效可媲美傳統藍寶石基板成長的氮化鎵 LED（GaN-on-sapphire），更透過磊晶片尺寸擴大至 8 吋以上，大幅提升單片產出面積與製程效率。
此外，其超小像素間距可滿足近眼顯示的高解析需求，並具備高度矽晶圓製程相容性與量產可行性。
富采光電元件事業本部總經理唐修穆表示，這項合作將提供具高度競爭力的矽基氮化鎵 Micro LED 解決方案，並建立可擴展、與矽晶圓廠製程高度相容的量產途徑。藉由與 ALLOS 攜手，富采得以同步布局 8 吋 矽基氮化鎵 Micro LED 磊晶技術，為快速成長的 Micro LED 產業提供更完整的價值鏈與解決方案。
ALLOS 共同創辦人暨執行長 Burkhard Slischka 則指出，富采是 ALLOS 理想的合作夥伴。雙方強強聯手，將為客戶提供高品質、具擴展性的磊晶片供應。我們的合作將提供業界最佳組合，包括最高的 LED 效率與卓越的 Micro LED 磊晶製程及晶片對接製程的良率（wafer-to-wafer yield），引領 Micro LED 晶粒製造邁向新里程碑。
此外，這項合作也將為邁向 12 吋 矽基氮化鎵 LED 磊晶技術鋪路，以因應市場對更大尺寸晶圓的需求、加速 Micro LED 普及化。ALLOS 自 2020 年起即已展示 12 吋量產能力，並持續與全球客戶合作優化技術；富采也將持續攜手產業夥伴，共同拓展 Micro LED 的無限可能。
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