〈漢磊投控法說〉化合物半導體應用Q4起放量 明年發酵

漢磊投控 (3707-TW) 今 (19) 日與旗下嘉晶 (3016-TW) 召開聯合法說會，漢磊投控董事長徐建華表示，今年第 4 季起 SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵) 等化合物半導體應用，將陸續放量，明年更將進一步拉升，帶動營運成長。

磊晶矽晶圓廠嘉晶 GaN on Si 已完成 650V 磊晶平台開發，並開發 GaN on SiC 及 GaN on Si 磊晶應用於射頻 (RF) 的產品，GaN on SiC 預計年底驗證完成，GaN on Si 預計明年驗證完成。

此外，嘉晶已開發完成 1700V 與 3300V SiC 磊晶平台，3300V SiC 磊晶平台已有日本客戶在新幹線模組上，完成驗證。嘉晶預期，明年 SiC(碳化矽)、GaN(氮化鎵) 等化合物應用將逐漸擴大，將帶動新一波營運成長動能。

晶圓代工廠漢磊科第 2 季則已通過歐規車用 VDA6.3 評鑑，有助後續歐系客戶工控及車用產品放量，長期有利新品與技術平台推廣，漢磊科指出，在通過 VDA6.3 評鑑後，效益逐漸顯現，目前已有 4 家客戶前來洽談。

漢磊科 SiC 6 吋產能已在試產中，客戶端以電動車需求最大，也有資料中心客戶，漢磊科預期，下半年隨著驗證結果陸續出爐，明年對出貨量、營收的貢獻都將逐步墊高。

而漢磊科 48V GaN 也已取得 Tier 1 客戶認證，預計第 4 季會陸續放量，將是市場上新的應用。有別於過去 GaN 主要著墨中低壓領域，未來將擴展至不同的電壓應用範圍，至於 650V GaN 已有數個客戶在導入。