長鑫存儲登科創板IPO！中國記憶體產能開出是利空？萬鈞法人揭密供需實情：缺貨潮將缺到天荒地老

中國記憶體巨頭長鑫存儲（CXMT）正式於上海科創板啟動 IPO，預計吸納龐大資金衝刺產能。作為全球第四大 DRAM 廠商，長鑫存儲目前全球市佔率已達 7.7%（僅次於三星、SK 海力士與美光）。

隨著其擴產計畫曝光，市場再度掀起一股「小作文恐慌」：中國產能大幅開出後，會不會殺價競爭？記憶體這波好光景與多頭循環，是否會因此提早結束？

專精於法人視野的萬鈞哥在優分析的《股民想知道》節目中切入供需結構與技本質指出: 「市場完全不必過度恐慌，中國產能開出對國際市場幾乎毫無外溢衝擊，記憶體的缺貨潮甚至會缺到天荒地老！」

一、 需求端：中國占全球 1/3 AI 算力，產能連自己用都不夠！

大眾只看到長鑫存儲市佔率 7%~8%、甚至恐慌其產能擴擴三倍變 20%，卻忽視了最關鍵的「區域需求黑洞」。

• 全球 AI 算力需求的區域分佈：
  全球 AI 算力開發中，非中國市場占 2/3，中國本土市場則占了高達 1/3 的龐大需求。

• 美國禁令堵死管道，本土產能被「內部吞噬」：
  過去中國廠商還能透過新加坡、馬來西亞等管道高價偷買國際原廠的 HBM（高頻寬記憶體）。但如今國際原廠產能全部被各大 CSP 巨頭搶購一空，且面臨極嚴格的美國法規審查，灰色管道已完全被斬斷。

萬鈞哥指出，中國這 1/3 的 AI 算力需求，完全買不到外面的 HBM，只能被迫全力依賴長鑫存儲、長江存儲等本土廠商。長鑫存儲現有的產能即使擴充三倍，光是供應中國內需都杯水薪傳，根本沒有多餘的晶片可以倒到國際市場衝擊價格。

二、 供給端：技術掉隊與 ASML 設備缺口，擴產速度遠落後預期

除了需求被本土吞噬外，中國記憶體廠商在「技術良率」與「設備取得」上更面臨無法跨越的屏障：

1. 記憶體種類技術落差極大

中國廠商在 NAND Flash（快閃記憶體）的生產能力極強，甚至高居全球領導地位；但到了 DRAM 與 HBM，技術卻相當落後，散熱與頻率表現甚至達到「幾乎無法量產」的等級。

• 良率瓶頸範例：
  做 HBM 需要多顆晶片堆疊，如果要求頻率達到 9，實際生產出來卻是有的 9、有的 3、有的 6。只要堆疊中出現一顆頻率 3 的瑕疵晶片，整顆 HBM 的效能就會直接被拖累降至 3。中國為了跑 AI，即使良率再爛、效能再差也非用不可，這反而會暴飲暴食地消耗掉他們極大的基礎產能。

2. 頂尖設備供給極度吃緊

晶圓廠擴產需要設備，但目前連半導體龍頭台積電向 ASML 拿設備，訂單滿足率（Fulfillment Rate）也僅有 65% 至 70%（要 40 多台只能拿到 30 多台）。最先進的設備連台積電都不夠分，設備商根本沒有多餘產線去幫中國生產舊系統或特定規格的設備，這讓中國實際擴產完成的時間拉得極長。

三、 供需數學題：為何 SK 海力士擴產兩倍，依然遠遠不夠？

不只中國威脅是假議題，從國際原廠的擴產計畫來算筆帳，更能看出記憶體缺口有多可怕。

記憶體龍頭 SK 海力士宣布：預計 4 年後（2030年）要將產能擴增 2 倍。過去市場聽到「擴產 2 倍」會認為產業將面臨供過於求，但萬鈞哥以 GPU 與記憶體的需求配比進行了實測計算：

• GPU 數量翻倍：
  台積電資本支出從今年 600 多億美金預計一路拉升至明年 800 多億美金，代表全球 GPU 產量在未來 4 年內至少翻倍（2倍）。

• 單顆 GPU 記憶體需求翻倍：
  隨著 GPU 算力大幅增強，4 年後的下一代 GPU，單顆所需的記憶體單位是現在的 4 倍（4倍）。

全球需求爆發性成長 8 倍，但龍頭廠海力士的產能只擴增 2 倍，中間高達 6 倍的供需缺口該如何填補？

這正是為什麼知名半導體分析機構 SemiAnalysis 與諸多法人會一再強調，AI 發展目前才在「三局上半」，記憶體將面臨「缺到天荒地老、缺到有生之年」的核心原因。

四、 萬鈞法人總結：整理是為了走更長遠的路

綜合上述分析，長鑫存儲 IPO 與擴產，只是中國在禁令下「垂死掙扎、供養本土」的必然舉措，對國際記憶體供需結構毫無殺傷力。

對於近期記憶體族群的股價回檔，萬鈞哥認為：「AI 賣鏟子的核心零組件就是不夠！目前的股價整理只是前陣子漲多後的籌碼去槓桿，等到短線雜音澄清、籌碼安定後，記憶體產業長線的多頭格局依然極為明確。」

投資人面對市場消息面時應保持冷靜，切勿在籌碼洗牌的最後階段被震盪洗出場。

(本文內容整理自《股民想知道》節目訪談，不構成具體個股推薦，投資人應獨立思考並自負投資風險。)