與 SK 海力士一較高下！三星證實明年推 300 層以上 V-NAND
南韓記憶體大廠三星分享 V-NAND（即 3D NAND）發展計畫，證實 2024 年將生產超過 300 層的第九代 V-NAND 記憶體，這將是業界最高層數。
三星總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee 在部落格中寫道，第九代 V-NAND 基於雙層結構，層數將達到業界最高水準，將於明年初量產。
三星正開發超過300 層的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次採用的雙層堆疊技術。三星不僅證實非揮發性記憶體 已步入正軌，其層數有望超過競爭對手。
南韓記憶體大廠 SK 海力士 8 月宣布，新 321 層堆疊 4D NAND Flash 快閃記憶體樣品，成為業界首間開發完成 300 層以上堆疊 NAND Flash 公司。但從三星最新進度可知，三星有望超車 SK 海力士，並擁有更多記憶體層數。
Jung-Bae Lee 指出，三星還在研究下一代具價值的技術，包括最大限度提高 V-NAND 輸入/輸出 (I/O) 速度的新結構。
雖然還不知道三星第 9 代 V-NAND 性能如何，但根據外媒報導，三星在即將推出的 SSD 中使用這種記憶體。屆時，就能看到三星採用 PCIe Gen5 介面的零售 SSD——三星 990 Pro 系列後續產品。
報導指出，三星現在致力於大幅減少單元干擾、降低高度和最大限度地增加垂直層數，以實現業內最小單元尺寸。這些創新有助於推動三星實現創建 1,000 層以上 3D NAND 和記憶體解決方案，確保產品適用於資料中心、PC 等應用。
（首圖來源：三星）