長鑫存儲拚部分產能給 HBM3！韓媒憂與中國差距「縮小至三年」
中國長鑫存儲正擴大在HBM 市場布局，以把握AI 熱潮帶來的機會。據悉，該公司正計劃將相當大一部分DRAM 產出轉換為HBM。
隨著近年DRAM 產業競爭日益激烈，也為長鑫存儲等中國記憶體廠商打開新機會。根據韓媒MK 報導，長鑫存儲計劃在今年將DRAM 產能擴充至每月30 萬片晶圓，其中約20%、即約6 萬片晶圓將投入HBM3 生產。
為了拉開與中國技術追趕的距離，韓國半導體企業也加快腳步，三星本月底起將率先於全球開始為NVIDIA 供貨的HBM4 量產。兩間韓國大廠則於2023 年開始量產HBM3。
報導指出，韓中之間的技術差距，在HBM3 前一代產品約為4 年，但在HBM3 世代已縮小至3 年。據推估，三星與SK 海力士投入HBM 用DRAM 的晶圓數量，各約在15 萬片。
相較於中國在NAND Flash 技術差距約1 年、與DRAM 差距約2 年，目前距離已經逐步縮小。HBM 一直被視為中國半導體技術明顯落後的領域，但隨著中國積極推動AI 半導體與HBM 的研發，雙方在HBM 的技術差距也逐步拉近。
業界人士透露，在中國主導AI 半導體開發的華為，正與長鑫存儲攜手投入HBM 研發，即便良率偏低，仍預期會直接進入量產階段。
隨著技術差距逐步縮小，美國科技企業也開始認真評估採用中國製的記憶體產品。據中媒快科技、日經等報導接指出，包含HP、戴爾、宏碁、華碩等PC 廠商都在評估採用長鑫存儲的DRAM，以解決記憶體供應不足問題。但市場也擔心，一旦供給回到充足水準，業者可能會轉而改用中國製產品。
業界傳出三星將率先全球量產並供應HBM4 給NVIDIA，量產出貨時間最快已敲定在本月第三週。據報導，三星電子已通過NVIDIA 的品質測試並取得採購訂單（PO），SK 海力士也已向NVIDIA 供應付費樣品，並預計在第一季內開始量產供貨。
據悉，華為擴大AI 晶片產量的最大瓶頸是HBM，而非半導體本身，因為這家晶片巨頭一直依賴出口管制前從三星累積的庫存。目前中國正努力縮小與國際廠商在HBM 市場的差距，但長鑫存儲HBM3 解決方案目前尚未進入主流市場。
目前中國HBM3 主要疑慮在良率，因為在無法取得EUV 設備的情況下，長鑫存儲目前只能採用多重曝光製程。若長鑫存儲在HBM 生產上取得突破，未來一部分DRAM 產能可能將轉向HBM。
（首圖來源：長鑫存儲）