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SK海力士鬆口赴美蓋晶圓廠,週一股價暴跌15.4%、創史上最大跌幅

財訊快報

更新於 4小時前 • 發布於 4小時前
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【財訊快報/陳孟朔】在川普政府施壓全球記憶體業者赴美設廠之際,SK集團會長崔泰源首度公開表示,SK海力士(000660.KS)(美股代碼SKHY)正於全球評估下一座記憶體晶圓廠選址,美國亦在候選名單之中,只要電力、水源、土地、人才及供應鏈等條件到位,公司便可能投資。然而,赴美擴產訊號未能穩住股價,SK海力士週一(13日)在首爾股市暴跌15.4%至184.5萬韓元,改寫公司上市以來最大單日跌幅,並成為KOSPI崩跌近9%的主要拖油瓶之一。同日,三星電子和三星電機各急瀉10.7%和18.62%。SK海力士週一收盤暴跌,超越先前金融海嘯期間的單日跌幅紀錄;三星電子與三星電機亦同步跌逾一成,拖累KOSPI終場狂瀉669.04點或8.95%,收在6,806.90點,創下史上第六大跌幅,今年有三度收盤跌幅逾8%。市場人士指出,SK海力士在那斯達克掛牌後,韓、美兩地股票價差擴大,加上股價先前因HBM熱潮大幅上漲,引發獲利了結、槓桿ETF去化及估值修正賣壓。
崔泰源在美國當地時間上週五(10日)在紐約受訪時表示,公司不只在美國,而是在全球進行選址盡職調查;若美國能提供穩定電力、超純水、適當土地、技術勞工及完整供應鏈生態,SK海力士將考慮投資。此前,美國商務部長霍華德.盧特尼克公開點名三星電子與SK海力士,要求兩家公司跟進美光科技在美擴產,顯示川普政府正把半導體製造回流政策由先進邏輯晶片延伸至DRAM及HBM供應鏈。
SK海力士目前在美國最具體的投資,是位於印第安納州西拉法葉、金額約38.7億美元的先進封裝基地,預計2028年投產;若再興建前端晶圓廠,代表其美國布局將由HBM封裝進一步延伸至晶圓製造。公司管理層雖預期2027年可能出現史上最嚴重的記憶體供給短缺,但週一創紀錄的股價暴跌顯示,市場除押注HBM長期需求外,也開始重新衡量赴美設廠成本、巨額資本支出、兩地股票價差及記憶體景氣循環反轉風險。

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