HBM需求暴增 瑞銀：DRAM供不應求將持續至2028年
瑞銀集團 (UBS) 最新發布 7 月《記憶體晶片月度報告》指出，全球記憶體晶片市場剛創下歷史最佳單月表現，單月銷售額達 746 億美元，月增 31.7%，刷新歷史紀錄。隨著人工智慧 (AI) 帶動高效能運算與資料中心需求快速攀升，以及長期供貨協議 (LTA) 持續簽訂，瑞銀認為記憶體產業景氣循環正持續升溫，全球結構性供應不足最快也要到 2028 年中才可能緩解。
報告指出，DRAM 仍是記憶體市場最大產品類別，單月銷售額約 480 億美元，較前月成長 27.7%；NAND Flash 表現更為強勁，單月營收達 258 億美元，月增 40.7%，同樣創下歷史新高。
NAND Flash 是固態硬碟 (SSD) 及資料中心儲存設備的核心元件。隨著 AI 模型訓練與推論運算快速增加，企業對高容量、高效能儲存設備需求同步爆發，成為推升 NAND 市場的重要動能。
整體而言，瑞銀預估 2026 年全球記憶體產業營收將達 9,920 億美元，2027 年更將大幅成長至約 1.76 兆美元，幾乎較前一年翻倍。
報告指出，本輪記憶體景氣最重要的成長引擎來自高頻寬記憶體 (HBM)。HBM 主要搭配 AI 加速器使用，包括輝達 (Nvidia) (NVDA-US)AI GPU 等產品，目前已成為 AI 伺服器不可或缺的重要零組件。
瑞銀預估，2026 年 HBM 需求將年增 90%，達 331 億 Gb；2027 年需求可望再成長 77%，進一步攀升至 587 億 Gb，反映 AI 基礎建設仍將持續高速擴張。
在供應商方面，瑞銀認為，美光科技 (Micron Technology) (MU-US)、三星電子(Samsung Electronics) 及 SK 海力士 (SK hynix) 將是本輪記憶體價格上漲的最大受惠者。三家公司目前合計掌握全球絕大部分 DRAM 及 NAND Flash 供應能力，在供給吃緊下，獲利能力可望持續改善。
瑞銀指出，全球大型雲端服務業者仍將持續擴大 AI 資料中心投資，帶動記憶體需求維持高檔，因此記憶體市場的結構性供應不足至少將持續至 2028 年第二季。
價格方面，瑞銀同步上修 DDR 記憶體合約價格預估，預期 2026 年第三季將較前一季上漲 32%，第四季再上漲 18%；NAND Flash 價格也可望同步走強，第三季預估上漲 30%，第四季續漲 12%。
供需結構方面，瑞銀預估 2027 年全球 DRAM 需求將年增 36.2%，但供給僅增加 19.3%，需求增速幾乎是供給的兩倍，因此供需缺口短期內難以改善，也是支撐價格持續上漲的重要因素。
不過，瑞銀也提醒，AI 投資熱潮並非毫無風險。報告指出，目前最大的不確定因素並非供給，而是客戶對持續漲價的承受能力，以及 AI 相關資本支出是否能長期維持高成長。
瑞銀表示，超大型雲端服務商 (Hyperscaler) 未來是否持續投入 AI 資料中心建設，仍將是決定本輪記憶體超級景氣周期能否延續的關鍵變數。若 AI 資本支出放緩，可能影響記憶體需求增速，進而改變目前市場對供需缺口及價格上漲的預期。
儘管如此，瑞銀認為，目前 AI 帶動的記憶體需求仍遠高於供給增速，整體產業基本面並未改變，HBM、DRAM 及 NAND 市場仍處於結構性供不應求階段，記憶體超級循環尚未結束。
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